[发明专利]一种晶圆保温装置和一种晶圆保温方法

说明书

本发明公开了一种晶圆保温装置和晶圆保温方法。该晶圆保温装置设置于半导体加工设备的反应腔内，其特征在于，包括：一片式阻隔环和设置于其下方的升降机构，所述晶圆保温装置处于晶圆工艺模式时，所述一片式阻隔环经由所述升降机构上升至抵住所述反应腔，以将所述反应腔内的晶圆与外部的所述传片通道阻隔。本发明不仅能够较好地隔离反应腔与传片通道，均匀反应腔内的温度，而且还能够避免分块式的阻隔件之间接触摩擦产生的颗粒落入晶圆上的薄膜，提升薄膜的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体薄膜沉积应用及制备技术领域，具体涉及了一种晶圆保温装置、一种晶圆保温方法，以及一种计算机可读存储介质。

背景技术

在半导体薄膜沉积过程中，半导体加工设备的反应腔内部的缝隙、台阶、不同材料的导电系数都会对射频场和等离子体的分布产生很大的影响。

但是目前，现有的反应腔室与传片通道之间的开口过大，并且没有阻隔件能够较好地阻隔反应腔室与传片通道，因而无法给反应腔体的传片通道方向提供保温功能，这容易使得反应腔室内的温度不均，从而导致无法保证生成薄膜的均匀度。

不仅如此，现有的反应腔的腔内结构为多块分块式的阻隔件拼合，这会导致阻隔件在拼合过程中接触摩擦，从而产生颗粒落入晶圆的薄膜上，影响生成薄膜的均匀性。

为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种晶圆保温技术，不仅能够较好地隔离反应腔与传片通道，均匀反应腔内的温度，而且还能够避免分块式的阻隔件之间接触摩擦产生的颗粒落入晶圆上的薄膜，提升薄膜的均匀性。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种晶圆保温装置和晶圆保温方法，以及一种计算机可读存储介质，不仅能够较好地隔离反应腔与传片通道，均匀反应腔内的温度，而且还能够避免分块式的阻隔件之间接触摩擦产生的颗粒落入晶圆上的薄膜，提升薄膜的均匀性。

具体来说，根据本发明的第一方面提供的上述晶圆保温装置，设置于半导体加工设备的反应腔内。该晶圆保温装置包括：一片式阻隔环和设置于其下方的升降机构，该晶圆保温装置处于晶圆工艺模式时，该一片式阻隔环经由该升降机构上升至抵住该反应腔，以将该反应腔内的晶圆与外部的该传片通道阻隔。

进一步地，在本发明的一些实施例中，该一片式阻隔环处于升起状态下，承载该晶圆的晶圆托盘位于该一片式阻隔环的中心，经由升起的该一片式阻隔环的环壁，阻隔该反应腔与该传片通道之间的开口。

进一步地，在本发明的一些实施例中，该晶圆托盘上包括加热设备，其中，在该一片式阻隔环升起后，该晶圆托盘升起，通过该加热设备对该晶圆托盘进行预热，以使该晶圆保温装置进入该晶圆工艺模式。

进一步地，在本发明的一些实施例中，在完成该晶圆工艺模式之后，该加热设备保持加热状态，以对该晶圆托盘上的晶圆进行保温。

进一步地，在本发明的一些实施例中，该一片式阻隔环在该晶圆托盘下落后下落，以供取出该晶圆，并在该晶圆托盘升起前再次升起，阻隔该反应腔与外部的该传片通道，以供对该反应腔内部进行清洁处理。

进一步地，在本发明的一些实施例中，该一片式阻隔环和/或该晶圆托盘由陶瓷材料制成。

进一步地，在本发明的一些实施例中，该升降机构包括提供驱动力的伺服电机，以及连接该伺服电机和该一片式阻隔环的传动连杆。