[发明专利]一种推挽输出驱动级保护电路在审
| 申请号： | 202211584717.6 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115865010A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 马学龙 | 申请（专利权）人： | 江苏润石科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F3/26 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 胡杰 |
| 地址： | 214111 江苏省无锡市新吴区弘毅路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 输出 驱动 保护 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种推挽输出驱动级保护电路，其特征在于：包括PMOS管PM1～PMOS管PM4、NMOS管NM1以及电阻R1～电阻R3；
PMOS管PM1的栅极连接前级电压VOP，源极连接VDD，漏极连接VOUT，衬底端连接VSUB；PMOS管PM2的栅极连接电阻R3的一端，源极连接VDD，漏极连接VSUB，衬底端连接VSUB；PMOS管PM3的栅极连接电阻R2的一端，源极连接VOUT，漏极连接VSUB，衬底端连接VSUB；PMOS管PM4的栅极连接电阻R1的一端，源极连接VOP，漏极连接VOUT，衬底端连接VSUB；
电阻R1的一端连接VDD，另一端连接PMOS管PM4的栅极；电阻R2的一端连接VDD，另一端连接PMOS管PM3的栅极；电阻R3的一端连接VOUT，另一端连接PMOS管PM2的栅极；
NMOS管NM1的栅极连接VON，源极和衬底端连接GND，漏极连接VOUT。
2.根据权利要求1所述的一种推挽输出驱动级保护电路，其特征在于：所述PMOS管PM1～PMOS管PM4均设置为单极型PMOS管。
3.根据权利要求1所述的一种推挽输出驱动级保护电路，其特征在于：所述NMOS管NM1设置为单极型NMOS管。
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