[发明专利]紫外发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种紫外发光二极管，所述紫外发光二极管包括衬底和外延层，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的缓冲层、第一N型层、多量子阱层和第一P型层，其特征在于，

所述第一P型层上开设有延伸至所述第一N型层的第一凹槽，所述第一凹槽内的所述第一N型层上开设有向所述衬底延伸的第二凹槽；

所述紫外发光二极管还包括第二图形化N型层和第二图形化P型层，所述第二图形化N型层位于所述第一凹槽槽底和/或所述第二凹槽槽底的所述第一N型层上；所述第二图形化P型层位于所述第一凹槽外的所述第一P型层上。

2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括第一接触层和第二接触层；

所述第一P型层的除所述第二图形化P型层设置区域外的其他区域上、所述第一凹槽的侧壁上、以及所述第一凹槽槽底除所述第二图形化N型层设置区域外的其他区域上均铺设有所述第一接触层，所述第一接触层为钝化层或增透膜层；

所述第二凹槽的侧壁、以及所述第二凹槽槽底除所述第二图形化N型层设置区域外的其它区域上均铺设有所述第二接触层，所述第二接触层为增透膜层或反射层，或者，所述第二接触层的材料与所述第二图形化N型层的材料相同。

3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括反射层，所述反射层覆盖所述第二图形化N型层、所述第一接触层和所述第二接触层。

4.根据权利要求3所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括N型焊盘、P型焊盘和P型焊盘连接层；

其中，所述P型焊盘连接层设置在所述第二图形化P型层的远离所述衬底的一面上，且所述P型焊盘连接层位于所述第二图形化P型层的正上方，所述P型焊盘位于所述P型焊盘连接层的远离所述衬底的一面上；

所述N型焊盘设置在所述反射层的远离所述衬底的一面上，且所述N型焊盘位于所述第二图形化N型层的正上方。

5.根据权利要求4所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括钝化层，所述反射层上除所述N型焊盘的设置区域外的其它区域上均铺设有所述钝化层。

6.一种紫外发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在衬底上生长外延层得到外延片，所述外延层包括依次生长在衬底上的缓冲层、第一N型层、多量子阱层和第一P型层；

对所述外延层进行多次刻蚀，以在所述外延层上形成第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一P型层上刻蚀形成有延伸至所述第一N型层的所述第一凹槽，所述第一凹槽内的所述第一N型层上刻蚀形成有向所述衬底延伸的所述第二凹槽；

在所述第一凹槽槽底和/或所述第二凹槽槽底的所述第一N型层上形成第二图形化N型层；

在所述第一凹槽外的所述第一P型层上形成所述第二图形化P型层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述第一P型层的除所述第二图形化P型层设置区域外的其他区域上、所述第一凹槽的侧壁上、以及所述第一凹槽槽底除所述第二图形化N型层设置区域外的其他区域上形成第一接触层，所述第一接触层为钝化层或增透膜层；

在所述第二凹槽的侧壁、以及所述第二凹槽槽底除所述第二图形化N型层设置区域外的其它区域上形成第二接触层，所述第二接触层为增透膜层或反射层，或者，所述第二接触层的材料与所述第二图形化N型层的材料相同。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述第二图形化N型层、所述第一接触层和所述第二接触层上形成反射层。