[发明专利]正比计数管的峰漂校正系统、方法、设备及存储介质

权利要求书

1.一种正比计数管的峰漂校正系统，其特征在于：包括谱图卷积计算单元以及与谱图卷积计算单元通讯连接的卷积校正单元；其中，所述谱图卷积计算单元用于计算谱图卷积和；所述卷积校正单元用于对谱图卷积和校正后计算得出校正因子，并基于校正因子对谱图校正。

2.根据权利要求1所述的正比计数管的峰漂校正系统，其特征在于：还包括谱图生成单元；所述谱图生成单元用于在X射线进入正比计数管后，生成未校正的谱图。

3.根据权利要求1所述的正比计数管的峰漂校正系统，其特征在于：还包括校正后谱图存储单元；所述校正后谱图存储单元用于存储校正后的谱图。

4.一种正比计数管的峰漂校正方法，应用于权利要求1所述的正比计数管的峰漂校正系统，其特征在于，包括以下步骤：

S1、计算谱图卷积和；

S2、对谱图卷积和先进行丢弃时间校正，再进行信号增益校正；

S3、计算校正因子；

S4、基于校正因子对谱图校正。

5.根据权利要求4所述的正比计数管的峰漂校正方法，其特征在于：S4中，谱图校正的计算公式为：N_t1＝N*γ；其中，N为校正前通道数，N_t1为校正后的通道数，γ是校正因子。

6.根据权利要求5所述的正比计数管的峰漂校正方法，其特征在于：校正因子的计算公式为：γ＝g(N)_t2*h；其中，h为校正常数，g(N)_t2为校正后的谱图卷积和。

7.根据权利要求6所述的正比计数管的峰漂校正方法，其特征在于：对谱图卷积和进行丢弃时间校正的计算公式为：g(N)_t1＝g(N)/deadtime；其中，g(N)_t1为补偿后的谱图卷积和，deadtime为处理器的死时间，g(N)为谱图卷积和；

deadtime＝OCR/ICR，OCR为输出有效计数率，ICR为输入计数率；

对谱图卷积和进行信号增益校正的计算公式为：g(N)_t2＝g(N)_t1/A0；其中，A0为多道脉冲幅度分析器在信号处理过程中的总放大倍数。

8.根据权利要求7所述的正比计数管的峰漂校正方法，其特征在于：谱图卷积和的计算公式为：

其中，In为该通道的光子计数，Nmax为最大通道值。

9.一种正比计数管的峰漂校正设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于：所述处理器执行所述程序时实现如权利要求4-8所述的正比计数管的峰漂校正方法。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于：该程序被处理器执行时实现如权利要求4-8所述的正比计数管的峰漂校正方法。