[发明专利]PWM波生成和占空比控制方法、系统、定时器和存储介质

权利要求书

1.一种PWM波生成和占空比控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取三相信号的第一状态占空比；

换相后获取所述三相信号的第二状态占空比；

确定MCU定时器计数最大值；

基于所述第一状态占空比和所述MCU定时器计数最大值配置第一状态下所述三相信号的定时器；

基于所述第二状态占空比和所述MCU定时器计数最大值配置第二状态下所述三相信号的定时器；

基于第一状态下所述三相信号的定时器和第二状态下所述三相信号的定时器生成特定占空比的PWM波形。

2.根据权利要求1所述的PWM波生成和占空比控制方法，其特征在于，获取三相信号的第一状态占空比包括在电流从第二相和第三相流入，从第一相流出时，采用以下公式计算所述三相信号的第一状态占空比：

Duty_AH₁＝50％-t₁/T；

Duty_BH₁＝50％+t₁/T；

Duty_CH₁＝50％+t₁/T；

其中t₁为第一状态下相间最短导通时间；T为载波周期；Duty_AH₁为第一相第一状态占空比；Duty_BH₁为第二相第一状态占空比；Duty_CH₁为第三相第一状态占空比。

3.根据权利要求1所述的PWM波生成和占空比控制方法，其特征在于，换相后获取所述三相信号的第二状态占空比包括在电流从第一相和第三相流入，从第二相流出时，采用以下公式计算所述三相信号的第二状态占空比：

Duty_AH₂＝50％+t₂/T；

Duty_BH₂＝50％-t₂/T；

Duty_CH₂＝50％+t₂/T；

其中t₂为第二状态下相间最短导通时间；T为载波周期；Duty_AH₂为第一相第二状态占空比；Duty_BH₂为第二相第二状态占空比；Duty_CH₂为第三相第二状态占空比。

4.根据权利要求1所述的PWM波生成和占空比控制方法，其特征在于，所述三相信号的第一状态占空比和第二状态占空比为所述三相信号的上桥臂占空比。

5.根据权利要求1所述的PWM波生成和占空比控制方法，其特征在于，确定MCU定时器计数最大值包括采用向上向下计数模式计算所述MCU定时器计数最大值。

6.根据权利要求1所述的PWM波生成和占空比控制方法，其特征在于，基于所述第一状态占空比和所述MCU定时器计数最大值配置第一状态下所述三相信号的定时器包括采用以下公式配置第一状态下所述三相信号的定时器：

CMPValue_A₁＝TCRmax*(1-Duty_AH₁)；

CMPValue_B₁＝TCRmax*(1-Duty_BH₁)；

CMPValue_C₁＝TCRmax*(1-Duty_CH₁)；

其中Duty_AH₁为第一相第一状态占空比；Duty_BH₁为第二相第一状态占空比；

Duty_CH₁为第三相第一状态占空比；TCRmax为所述MCU定时器计数最大值；

CMPValue_A₁为第一相第一状态定时器；CMPValue_B₁为第二相第一状态定时器；

CMPValue_C₁为第三相第一状态定时器。