[发明专利]一种快速淬灭与复位电路

权利要求书

1.一种快速淬灭与复位电路，其特征在于：所述电路包括高侧淬灭子电路，高侧复位子电路，低侧淬灭子电路，低侧复位子电路，雪崩二极管D1，采样电阻R1，高压供电电源；

所述雪崩二极管D1的阴极引入所述高侧淬灭子电路；

所述高侧淬灭子电路包括：交流耦合电容C2，保护二极管D2和D3，限流电阻R4，R5和R6，推挽输出晶体管Q2和Q3，上拉电阻R7以及电平转换晶体管Q4，第一淬灭供电电源；所述推挽输出晶体管Q2和电平转换晶体管Q4为NPN型射频晶体管，推挽输出晶体管Q3为PNP型射频晶体管；

所述雪崩二极管D1的阳极引入低侧淬灭子电路；

所述低侧淬灭子电路包括：交流耦合电容C3，限流电阻R8，上拉电阻R9，晶体管Q5，保护二极管D4和D5，第二淬灭供电电源；所述晶体管Q5为PNP型射频晶体管。

2.根据权利要求1所述的一种快速淬灭与复位电路，其特征在于：所述雪崩二极管D1的阴极引入高侧复位子电路；

所述高侧复位子电路包括：偏置电阻R2和R3，交流耦合电容C1，晶体管Q1；所述晶体管Q1为PNP型射频晶体管。

3.根据权利要求1所述的一种快速淬灭与复位电路，其特征在于：所述雪崩二极管D1的阳极引入了低侧复位子电路；

所述低侧复位子电路包括：雪崩二极管D1，采样电阻R1，晶体管Q6；所述晶体管Q6为NPN型射频晶体管。

4.根据权利要求1所述的一种快速淬灭与复位电路，其特征在于：所述高侧淬灭子电路、低侧淬灭子电路被配置为同时有效，且持续时间一致，对雪崩二极管D1阴极和阳极同时淬灭；淬灭结束后低侧复位子电路立即置为有效，对雪崩二极管D1的阳极进行复位；低侧复位结束后，高侧复位子电路立即置为有效，雪崩二极管D1阴极复位到高压供电电源电压，雪崩二极管D1准备好进行下一次雪崩激发。

5.根据权利要求1所述的一种快速淬灭与复位电路，其特征在于：所述高侧淬灭子电路中，所述电平转换晶体管Q4的基极为高侧淬灭控制端口，射极与信号地相连，集电极与所述上拉电阻R7的第二端相连；所述上拉电阻R7的第一端与限流电阻R4的第二端相连，所述限流电阻R4的第一端与所述第一淬灭供电电源输出端相连；所述推挽输出晶体管Q2的集电极与所述限流电阻R4的第二端相连，基极与所述限流电阻R4第二端相连，射极与限流电阻R5的第一端相连；所述推挽输出晶体管Q3的射极与所述限流电阻R6的第二端相连，基极与所述上拉电阻R7的第二端相连，集电极与信号地相连；所述限流电阻R5的第二端与所述限流电阻R6的第一端相连；所述保护二极管D2的阳极与保护二极管D3的阴极相连，所述保护二极管D2的阴极与限流电阻R4的第二端相连；所述保护二极管D3的阳极与信号地相连；所述交流耦合电容C2的第二端与所述保护二极管D2的阳极相连；所述交流耦合电容C2的第一端与所述雪崩二极管D1的阴极相连。

6.根据权利要求2所述的一种快速淬灭与复位电路，其特征在于：所述高侧复位子电路中，所述交流耦合电容C1的第一端为高侧复位子电路的控制端口；所述交流耦合电容C2的第一端与所述偏置电阻R2的第二端相连，所述偏置电阻R2的第一端与所述晶体管Q1的射极相连；所述偏置电阻R3的第一端与所述交流耦合电容的第一端相连，所述偏置电阻R3的第二端与所述晶体管Q1的集电极相连；所述晶体管Q1的射极与所述高压供电电源输出端相连，集电极与雪崩二极管D1的阴极相连，基极与所述交流耦合电容C1的第二端相连。