[发明专利]太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有第一表面；

在所述基底的第一表面上形成沿背离所述基底第一表面依次堆叠的掺杂层以及钝化层，所述钝化层具有金属图案区域；

采用预烧结工艺在所述金属图案区域的钝化层顶面形成初始栅线电极，所述初始栅线电极穿透部分厚度的所述钝化层；

对所述初始栅线电极的至少部分表面进行激光处理，以形成第一栅线电极，其中，经所述激光处理的所述第一栅线电极穿透所述钝化层与所述掺杂层电接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述预烧结工艺包括：

在金属图案区域的所述钝化层表面印刷金属浆料；

对所述金属浆料进行烘干处理，以使所述金属浆料固化，形成固化金属浆料；

对所述固化金属浆料进行预烧结处理，以使至少25～部分所述固化金属浆料烧穿至部分厚度的所述钝化层中，形成所述初始栅线电极。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述预烧结处理的峰值温度为400℃～500℃。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，位于所述钝化层中的所述初始栅线电极的厚度与所述钝化层的厚度之比为0.4～1。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钝化层表面具有待激光处理区域，所述待激光处理区域与所述初始栅线电极的至少部分表面正对，所述对所述初始栅线电极的至少部分表面进行激光处理的步骤包括：

对所述待激光处理区域正对的所述初始栅线电极进行激光处理以将所述初始栅线电极烧穿至所述掺杂层中，位于所述掺杂层中的初始栅线电极与位于部分所述钝化层中的初始栅线电极构成所述第一栅线电极，经所述激光处理的待激光处理区域形成激光处理区域，所述激光处理的激光功率为1W～40W，激光频率为10kHz～5000kHz，激光波长为300nm～800nm，激光脉冲宽度为0.2ps～500ps，激光线扫速度为200mm/s～20000mm/s。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述待激光处理区域与所述初始栅线电极表面重合。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述待激光处理区域与所述初始栅线电极的部分表面正对。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述待激光处理区域包括多个间隔的第一区，每一所述第一区与部分所述初始栅线电极正对。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，多个所述第一区在沿所述初始栅线电极的延伸方向上间隔排布；或者多个所述第一区在沿所述初始栅线电极的延伸方向上错位排布。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述初始栅线电极具有沿第一方向相对的两个第一边缘，所述第一方向垂直于所述初始栅线电极的延伸方向，且平行于所述钝化层表面，在所述对至少部分所述初始栅线电极表面进行激光处理的步骤中，还包括：对至少部分所述第一边缘与所述钝化层的交界处进行激光处理。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述待激光处理区域与所述初始栅线电极的宽度之比为1～10。

12.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述掺杂层的掺杂元素类型与所述基底的掺杂元素类型相同，所述掺杂层的材料至少为掺杂非晶硅、掺杂多晶硅或者掺杂微晶硅材料中的一者。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：隧穿介质层，所述隧穿介质层位于所述掺杂层与所述基底第一表面之间。