[发明专利]P型电极结构及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种P型电极结构，其特征在于包括：

功函数金属层，其设置在P型半导体层的第一表面上，并与所述P型半导体层形成欧姆接触；

非晶金属氧化物网格电极，其设置在所述功函数金属层上，并与所述功函数金属层电性结合，且所述功函数金属层表面的局部区域从所述非晶金属氧化物网格电极的网孔中暴露出。

2.根据权利要求1所述的P型电极结构，其特征在于：所述P型半导体层的第一表面是非平坦的；优选的，所述功函数金属层与P型半导体层的第一表面接触的区域是非平坦的；

优选的，所述P型半导体层的第一表面与功函数金属层接触的区域具有至少一凸起结构和/或至少一凹坑结构，所述功函数金属层的部分包覆在所述凸起结构表面和/或所述功函数金属层的部分填充在所述凹坑结构内；

优选的，所述凸起结构和/或凹坑结构分布在所述P型半导体层的第一表面的位错或缺陷区域；

优选的，所述凸起结构和/或凹坑结构的宽度为60-150nm，所述凸起结构的高度为60-150nm，所述凹坑结构的深度为60-150nm。

3.根据权利要求1或2所述的P型电极结构，其特征在于：所述功函数金属层的材质包括Au、Ni中的任意一种金属或两种金属形成的合金；

和/或，所述功函数金属层的厚度为100-200nm。

4.根据权利要求1所述的P型电极结构，其特征在于：所述非晶金属氧化物网格电极的网孔总面积占非晶金属氧化物网格电极表面的65-80％；

优选的，所述非晶金属氧化物网格电极的材质包括非晶氧化铟锌；

优选的，所述非晶金属氧化物网格电极的厚度为80-150nm；

优选的，所述非晶金属氧化物网格电极是透明的。

5.一种P型电极结构的制备方法，其特征在于包括：

在P型半导体层第一表面的选定区域上形成功函数金属层，并使所述功函数金属层与所述P型半导体层电性结合，其中所述P型半导体层第一表面的选定区域是非平坦的；

在所述功函数金属层上形成非晶金属氧化物网格电极，并使所述非晶金属氧化物网格电极与所述功函数金属层电性结合，且使所述功函数金属层表面的局部区域从所述非晶金属氧化物网格电极的网孔中暴露出。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，具体包括：在所述P型半导体层的第一表面上设置掩膜，并使所述选定区域从掩膜中暴露出，之后对所述选定区域进行等离子体轰击，以在所述选定区域的缺陷处刻蚀形成凹坑结构，其后在所述选定区域上形成所述功函数金属层，然后在所述功函数金属层上形成所述非晶金属氧化物网格电极；

优选的，使所述功函数金属层的部分填充在所述凹坑结构内，从而使所述功函数金属层与P型半导体层接触的区域形成非平坦的结构；

优选的，等离子体轰击所采用的等离子体包括惰性气体等离子体；优选的，所述等离子体轰击的时间为20-150s；

优选的，所述凹坑结构的宽度为60-150nm，深度为60-150nm。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于：所述功函数金属层的材质包括Au、Ni中的任意一种金属或两种金属形成的合金；

和/或，所述功函数金属层的厚度为100-200nm；

和/或，所述非晶金属氧化物网格电极的网孔总面积占非晶金属氧化物网格电极表面的65-80％；

优选的，所述非晶金属氧化物网格电极的材质包括非晶氧化铟锌；

优选的，所述非晶金属氧化物网格电极的厚度为80-150nm；

和/或，所述非晶金属氧化物网格电极是透明的。