[发明专利]一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法在审
| 申请号： | 202211590130.6 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116230493A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 栾莹 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 硅片 清洗 表面 水珠 印迹 产生 方法 | ||
1.一种降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于，产品依次经过2个SC1槽清洗、纯水槽溢流清洗、O3槽喷淋、HF槽去除硅表面金属、纯水槽溢流，然后经慢提拉槽从硅片表面剥离部分水珠，最后经烘干槽使硅表面残留的水分蒸发，
其中，所述HF槽中，HF和纯水之间的体积比不高于1:1500，同时该HF槽的过滤器每隔5～7天充分排残液一次，
慢提拉槽与烘干槽的FFU压力为40pa。
2.根据权利要求1所述的降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于：
其中，所述HF槽中，HF和纯水之间的体积比为1:1500～1:3000。
3.根据权利要求1所述的降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于：
其中，所述HF槽外增设照明灯与刻度线，对每次换液后液位下降进行显示。
4.根据权利要求3所述的降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于：
其中，每次换液后下降液位与HF槽体积比例为每30L降低1.2cm。
5.根据权利要求1所述的降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于：
其中，SC-1清洗液中，NH4OH、H2O2以及H2O之间的体积比为1:2:10～1:2:50。
6.根据权利要求1所述的降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于：
其中，所述O3槽内臭氧水中的臭氧浓度为1～100ppm，喷淋时间为≥3分钟。
7.根据权利要求1所述的降低硅片清洗后表面水珠印迹产生的方法，其特征在于：
其中，在60～65℃条件下对硅片表面进行干燥。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司，未经上海中欣晶圆半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211590130.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
