[发明专利]碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法在审
| 申请号： | 202211594681.X | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116053122A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 薄洪生;单双;徐永斌;冯东明;王哲 | 申请（专利权）人： | 江苏昕感科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 214429 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 氧化 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
对一晶圆片进行前道工序处理获取SiC衬底(1)；
对所述SiC衬底(1)的表面进行预处理；
通过氮等离子体、氢等离子体或氮等离子体与氢等离子体的组合对经过预处理的SiC衬底(1)表面进行钝化掺杂处理；
根据需要生长的栅氧化层厚度在经过钝化掺杂处理的SiC衬底(1)表面ALD沉积单晶硅薄膜(2)；
对所述单晶硅薄膜(2)进行氧化处理获取栅氧化层(3)。
2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，对经过预处理的SiC衬底(1)表面进行钝化掺杂处理在NH3或N2或其组合气氛中。
3.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，对经过预处理的SiC衬底(1)表面进行钝化掺杂处理在NH3或He或其组合气氛中。
4.根据权利要求2或3所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述气氛的压强为30-100毫托。
5.根据权利要求4所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述钝化掺杂处理的工艺时间为1-2分钟。
6.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述根据需要生长的栅氧化层厚度在经过钝化掺杂处理的SiC衬底(1)表面ALD沉积单晶硅薄膜(2)包括：
根据生长一单位的栅氧化层所消耗的单晶硅薄膜(2)，确定需要生长的栅氧化层厚度对应的单晶硅薄膜(2)厚度；
根据需要生长的栅氧化层厚度对应的单晶硅薄膜(2)厚度在经过钝化掺杂处理的SiC衬底(1)表面ALD沉积单晶硅薄膜(2)。
7.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，对所述单晶硅薄膜(2)进行氧化处理获取栅氧化层(3)时所采用的温度为800-1100℃。
8.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述对所述SiC衬底(1)的表面进行预处理包括：
在1000-1100℃的高温条件下对所述SiC衬底(1)的表面进行牺牲氧化处理，获取牺牲氧化层(4)；
采用浓度为1％的氢氟酸通过RCA清洗工艺去除所述牺牲氧化层(4)。
9.根据权利要求8所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述牺牲氧化层(4)的厚度为10-20纳米。
10.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述对一晶圆片进行前道工序处理包括：对一晶圆片进行离子注入，对经过离子注入的晶圆片进行退火处理。
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