[发明专利]一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法

权利要求书

1.一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于，由以下质量百分比的原料组成：

2.根据权利要求1所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述促进剂为过硫酸盐、双氧水、氨基苯酚、氨基苯磺酸、硝基咪唑、硝基苯酚、冠醚中的一种或者两种以上的组合。

3.根据权利要求1所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述络合剂为磷酸盐、醇胺类、氨基羧酸盐、羟基羧酸盐、柠檬酸、柠檬酸钠中的一种或者两种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述脱泡剂为聚季铵盐、聚乙烯亚胺、纤维素、淀粉、麦芽糖、蔗糖、葡萄糖中的一种或者两种以上的组合。

5.根据权利要求1所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述缓蚀剂为次磷酸盐、磷酸盐、有机磷酸盐、乙二胺四乙酸二钠、苯并三氮唑中的一种或者两种以上的组合。

6.根据权利要求1所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于，所述pH调节剂为苹果酸、酒石酸、冰乙酸和乙酸、己二酸、磷酸、盐酸、磷酸盐、硫酸盐、乙酸钠、氢氧化钾、氢氧化钠中的一种或者两种以上的组合。

7.一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，根据权利要求1-6中任一所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于，取高反射率晶体硅碱抛光添加剂加入碱性溶液中，混合均匀后配成抛光液，放入硅片完成抛光反应；

其中，所述高反射率晶体硅碱抛光添加剂用量占抛光液总体积的比例为0.2～2％，所述碱性溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，其中氢氧化钾或氢氧化钠在抛光液中的含量为5～50g/L。

8.根据权利要求7所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于，所述抛光反应的温度为55～75℃，反应时间为120s～240s。

9.根据权利要求1所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于，所述硅片的放置方式采用以垂直的方式放入含有抛光液的槽体中。

10.根据权利要求1所述的高反射率晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于，硅片完成抛光反应后，依次经过离子水清洗、后处理、去离子水清洗、酸洗、去离子水清洗后烘干，后处理工艺为0.1％～2％的KOH或NaOH与1～8％H2O2的混合溶液、温度为20～60℃、清洗时间为30s～120s；酸洗工艺为HF：HCl：H2O＝1:2:4的混酸溶液、酸洗温度为10～40℃、时间为30s～60s。