[发明专利]一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路

权利要求书

1.一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路，包括变压器隔离部分、控制部分、功率驱动部分、抖动抑制部分和功率MOSFET部分，其特征在于：所述变压器隔离部分的一侧连接有控制部分，所述控制部分包括R1、R3、R5、R7、R9、R11、N1、NM1、D1、D2、D5与D7，所述控制部分的一侧连接有功率驱动部分，所述功率驱动部分包括R13、R15、N3、D9、P1、C1与C3，所述功率驱动部分的一侧连接有抖动抑制部分，所述抖动抑制部分包括R17、R18、R21、D11、N5、P3、PM1与PM1GND，所述抖动抑制部分的一侧连接有功率MOSFET部分，所述功率MOSFET部分包括R23，所述功率MOSFET部分的底部并联有功率MOSFET部分。

2.根据权利要求1所述的一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路，其特征在于：所述R1构成一个驱动电流回路，所述R13抑制图腾柱电路的最大电流。

3.根据权利要求1所述的一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路，其特征在于：所述D7为18V稳压。

4.根据权利要求1所述的一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路，其特征在于：所述功率MOSFET部分的结电容分为两个路径，一是R9，二是会通过R3、驱动变压器的线圈、R5、R7、N1的be结来三个路径，形成三个放电回路。

5.根据权利要求4所述的一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路，其特征在于：所述三个放电回路使得PWM控制在死区时，MOSFET的结电容能快速放电结束。

6.根据权利要求1所述的一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路，其特征在于：所述R5流经电流时，NM1的GS形成电压，NM1的DS导通。