[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211596598.6 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN116253285A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 卜德冲;范坤;罗大杰 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 查薇 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上设置有金属层，所述金属层包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；
刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层；
形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层；
以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，形成图形化的双层金属走线。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
所述引线金属层为Au层，所述粘附金属层为Cr层；或者，
所述引线金属层为Cu层，所述粘附金属层为Ti层。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：
所述刻蚀所述引线金属层，包括：采用目标掩膜板刻蚀所述引线金属层；
所述形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层，包括：采用所述目标掩膜板，形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层，包括：
在所述引线金属层上形成覆盖所述引线金属层的第二光刻胶层；
采用目标掩膜板曝光和显影所述第二光刻胶层，形成图形化的第二光刻胶层；
以所述图形化的第二光刻胶层为阻挡层，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层，包括：
形成覆盖所述引线金属层以及裸露的所述粘附金属层的第一光刻胶层；
采用目标掩膜板曝光和显影所述第一光刻胶层，形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，包括：
以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述粘附金属层。
7.如权利要求4或6所述的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺为浸泡式湿法刻蚀工艺。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀所述粘附金属层之后，还包括：去除所述第一光刻胶层。
9.一种MEMS器件，其特征在于，包括：
衬底和位于所述衬底之上的图形化的双层金属走线，所述双层金属走线包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；
其中，所述双层金属走线采用权利要求1-8任一所述的制备方法所制备。
10.如权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于：
所述粘附金属层的走线宽度大于所述引线金属层的走线宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司，未经赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211596598.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
