[发明专利]一种Embedded Flash快速进入低功耗的设计系统及方法有效

专利信息
申请号: 202211597144.0 申请日: 2022-12-14
公开(公告)号: CN115599194B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 王立华;潘明方;熊海峰 申请(专利权)人: 上海泰矽微电子有限公司
主分类号: G06F1/3234 分类号: G06F1/3234;G06F1/3293
代理公司: 上海双诚知识产权代理事务所(普通合伙) 31423 代理人: 方玉
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 embedded flash 快速 进入 功耗 设计 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统,其特征在于:不设置电源管理单元,在不影响读指令性能的前提下,快速进入低功耗模式;

所述系统包括:MCU提供的低功耗睡眠标志信号sleeping、Embedded Flash控制器、非门、与门、寄存器和Embedded Flash器件;

所述Embedded Flash控制器设有一Embedded Flash接口时序控制单元;

所述sleeping耦接到非门的输入端,所述非门的输出端耦接与门的一路输入端,且与门的另一路输入端加载复位信号hrstn;

所述与门的输出端输出信号hrstn_mux加载到寄存器的复位端,所述寄存器的数据输入端加载由Embedded Flash接口时序控制单元提供的ce控制信号n_ce,且寄存器的时钟输入端加载时钟源信号hclk,且寄存器的输出端通过输出Embedded Flash器件选中信号eflash_ce加载到Embedded Flash器件。

2.根据权利要求1所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统,其特征在于:Embedded Flash 控制器通过Embedded Flash接口时序控制单元设置寄存器输出的Embedded Flash器件选中信号eflash_ce为有效或无效。

3.根据权利要求1所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统,其特征在于:所述复位信号hrstn为MCU与Embedded Flash控制器共同的复位信号。

4.根据权利要求1所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计系统,其特征在于:所述时钟源信号hclk为MCU与Embedded Flash控制器共同的时钟源信号。

5.一种基于权利要求1-4任意一项所述系统的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1:将MCU系统中的低功耗睡眠标志信号sleeping取反,并和Embedded Flash控制器的复位信号hrstn作与逻辑操作,用所述与逻辑操作输出信号hrstn_mux作为寄存器的复位信号;

步骤S2:当MCU系统进入低功耗模式后,将所述sleeping 信号从无效状态设置为有效状态,且将Embedded Flash器件选中信号eflash_ce复位成无效;

步骤S3: 当MCU系统退出低功耗模式后,将所述sleeping 信号从有效状态设置为无效状态,且将所述eflash_ce释放为有效;

步骤S4:当所述eflash_ce有效后,MCU系统恢复对Embedded Flash正常操作。

6.根据权利要求5所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计方法,其特征在于:MCU系统未进入低功耗模式之前和退出低功耗模式之后,所述eflash_ce保持有效状态。

7.根据权利要求5所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计方法,其特征在于:在所述MCU系统未进入低功耗模式之前,MCU执行第一次读操作时,将所述eflash_ce设置成有效后存在大于10us的延迟。

8.根据权利要求5所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计方法,其特征在于:当所述MCU系统进入低功耗模式时,且所述eflash_ce设置成无效后,Embedded Flash进入uA级的低功耗模式。

9.根据权利要求5所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计方法,其特征在于:当所述MCU系统退出低功耗模式后,所述eflash_ce的控制逻辑的复位被立即释放,同时设置所述eflash_ce为有效,此时MCU内的CPU停止向Embedded Flash控制器发送读写指令请求。

10.根据权利要求5所述的Embedded Flash 快速进入低功耗的设计方法,其特征在于:当所述MCU系统退出低功耗模式后,在所述eflash_ce完成第一次大于10us的延迟后,MCU系统进入正常工作。

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