[发明专利]一种气体纯化装置及工艺

说明书

本发明公开了一种气体纯化装置及工艺，涉及气体纯化技术领域，主要解决的问题是目前国内的设备不足以支持同时完成高纯气体和超纯气体同时高压直充的效果，多塔柜体、一塔、二塔、三塔、四塔、换热塔、五塔、冷却塔、六塔，所述一塔、二塔、三塔、四塔、换热塔、五塔、冷却塔、六塔均安装在多塔柜体中，所述多塔柜体的一侧设置原料气柜体，所述原料气柜体用于储存未经过滤的气体，所述一塔与原料气柜体之间设置第一管道，所述一塔与二塔之间设置第二管道，所述二塔与三塔设置第三管道，一套设备可以排出两种不同纯度规格的氩气。

技术领域

本发明涉及气体纯化技术领域，具体为一种气体纯化装置及工艺。

背景技术

近年来，我国半导体产业快速发展，生产线数量日渐增加，芯片线宽从微米级提升至纳米级，对电子气体纯度的要求越来越高，对高端气体纯化器需求不断增长，高纯度氮气、氩气、氧气等气体纯化设备，是超大规模集成电路、平面显示器和半导体器件等生产必不可少的关键配套装备，对于半导体产业来说，经纯化设备纯化后产出的电子气体犹如“血液”，参与半导体工厂很多工艺流程，其纯度直接影响光电子、微电子元器件质量、集成度等指标，但是目前国内的设备不足以支持同时完成高纯气体和超纯气体同时高压直充的效果，因此，设计一种气体纯化装置及工艺是很有必要的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种气体纯化装置及工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种气体纯化装置及工艺，包括多塔柜体、一塔、二塔、三塔、四塔、换热塔、五塔、冷却塔、六塔，所述一塔、二塔、三塔、四塔、换热塔、五塔、冷却塔、六塔均安装在多塔柜体中，所述多塔柜体的一侧设置原料气柜体，所述原料气柜体用于储存未经过滤的气体，所述一塔与原料气柜体之间设置第一管道，所述一塔与二塔之间设置第二管道，所述二塔与三塔设置第三管道，所述三塔与四塔之间设置第四管道，所述第四管道上安装第一多通阀门，所述第一多通阀门的一端连接第五管道，另一端连接第六管道，所述第五管道用于将纯化过的气体排出。

根据上述技术方案，所述换热塔上设置第一气孔和第二气孔，所述第六管道与第二气孔连接，所述第一气孔连接第七管道，所述第七管道与五塔连接，所述五塔上设置第八管道，所述换热塔内设置加热导管，所述第八管道与加热导管一端连接，所述加热导管另一端连接第九导管，所述冷却塔与第九导管连接。

根据上述技术方案，所述冷却塔上安装第二多通阀门，所述第二多通阀门的一端连接第十管道，另一端连接第十一管道，所述第十管道用于将纯化过的氩气排出。

根据上述技术方案，所述六塔与第十一管道连接，所述六塔上还安装第十二管道，所述第十二管道用于排出氮气。

根据上述技术方案，所述在多塔柜体上设置PLC程序控制室。

与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：本发明，通过设置有多塔柜体，一套设备可以排出两种不同纯度规格的氩气，同时还具备纯化氮气的作用。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是本发明的整体正面剖视结构示意图；

图2是本发明的多塔柜体内部结构示意图；

图3是本发明的塔排布示意图；

图4是本发明的气体纯化流程示意图；

图中：1、多塔柜体；2、一塔；3、二塔；4、三塔；5、四塔；6、换热塔；7、五塔；8、冷却塔；9、六塔；10、第一管道；11、第二管道；12、第三管道；13、第四管道；14、第五管道；15、第六管道；16、第一气孔；17、第二气孔；18、加热导管；19、第七管道；20、第八管道；21、第九导管；22、第十管道；23、第十一管道；24、第十二管道；25、控制室。