[发明专利]一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法

权利要求书

1.一种防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底(1)的表面制作外延层(2)，外延层(2)由上至下依次包括第一接触层(201)、吸收层(202)、第二接触层(203)、腐蚀停刻层(204)；

刻蚀外延层(2)的表面，以形成焦平面阵列台面(3)；

在焦平面阵列台面(3)的表面制备钝化膜(4)；

刻蚀，以去除焦平面阵列台面(3)底部的钝化膜(4)；

在焦平面阵列台面(3)的底部和侧壁沉积金属电极层(5)；

在焦平面阵列台面(3)的顶部制备In柱(6)，在In柱(6)的表面连接读出电路(7)；

在读出电路(7)与外延层(2)之间填充胶体(8)；

去除衬底(1)和腐蚀停刻层(204)；

刻蚀焦平面阵列台面(3)底部的第二接触层(203)，以裸露出金属电极层(5)；

在第二接触层(203)的表面制作增透膜(9)，所述增透膜(9)设有金属电极层露出孔；

在裸露的金属电极层(5)表面制作背电极(10)。

2.如权利要求1所述的防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，所述第一接触层(201)为P接触层，所述第二接触层(203)为N接触层；

或者，所述第一接触层(201)为N接触层，所述第二接触层(203)为P接触层。

3.如权利要求1所述的防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，所述焦平面阵列台面(3)包括若干凸台(301)，相邻两个凸台(301)之间具有隔离槽(302)，所述隔离槽(302)的深度到达第二接触层(203)内。

4.如权利要求3所述的防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，“刻蚀，以去除焦平面阵列台面(3)底部的钝化膜(4)”包括如下步骤：

刻蚀，去除隔离槽(302)底壁以及隔离槽(302)侧壁中位于第二接触层(203)表面的钝化膜(4)。

5.如权利要求3所述的防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，所述金属电极层(5)覆盖所述隔离槽(302)的底壁和侧壁并延伸至凸台(301)的顶面。

6.如权利要求3所述的防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，所述凸台(301)的倾斜角度＜70°。

7.如权利要求3所述的防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，“刻蚀焦平面阵列台面(3)底部的第二接触层(203)，以裸露出金属电极层(5)”包括如下步骤：

刻蚀，将隔离槽(302)底部的第二接触层(203)去除以裸露出金属电极层(5)。

8.如权利要求3所述的防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，“在裸露的金属电极层(5)表面制作背电极(10)”包括如下步骤：

在位于隔离槽(302)底部的金属电极层(5)上背离读出电路(7)的表面沉积金属，以形成背电极(10)。

9.如权利要求1所述的防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，采用湿法腐蚀去除衬底(1)；

和/或，采用ICP刻蚀去除腐蚀停刻层(204)；

和/或，通过ICP-CVD技术生长增透膜(9)。

10.一种防止信号串扰的焦平面阵列器件，其特征在于，其采用如权利要求1-9任一所述的方法制备得到。