[发明专利]光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备

权利要求书

1.光刻胶刻蚀液，其特征在于，包括：

二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。

2.如权利要求1所述的光刻胶刻蚀液，其特征在于，所述光刻胶刻蚀液的配比包括：

所述二甲基亚砜的体积分数为40％～60％，

和/或，

所述四氢呋喃的体积分数为20％～30％，

和/或，

所述异丙醇的体积分数为30％～50％。

3.微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，包括：

将待释放的微同轴结构浸泡于如权利要求1至2中任一项所述的第一光刻胶刻蚀液，得到第一微同轴结构腔体；

利用去离子水冲洗所述第一微同轴结构腔体。

4.如权利要求3所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，浸泡时间是根据所述微同轴结构腔体的结构和/或所述第一光刻胶刻蚀液的配比确定的。

5.如权利要求3所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，还包括：

搅拌所述第一光刻胶刻蚀液，其中，搅拌速率是根据所述微同轴结构腔体的结构和/或所述第一光刻胶刻蚀液的配比确定的。

6.如权利要求5所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，还包括：

利用起泡装置将所述第一光刻胶刻蚀液进行起泡处理；

将起泡处理的所述第一光刻胶刻蚀液向所述微同轴结构的进行冲刷。

7.如权利要求3所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，还包括：

获取冲洗后的微同轴结构腔体的光刻胶残留情况；

基于所述光刻胶残留情况，制备第二光刻胶刻蚀液；

将冲洗后的微同轴结构浸泡于所述第二光刻胶刻蚀液，得到第二微同轴结构腔体；

利用去离子水冲洗所述第二微同轴结构腔体。

8.微同轴光刻胶牺牲层释放装置，其特征在于，包括：

浸泡模块，用于将待释放的微同轴结构浸泡于如权利要求1至2中任一项所述的第一光刻胶刻蚀液，得到第一微同轴结构腔体；

冲洗模块，用于利用去离子水冲洗所述第一微同轴结构腔体。

9.电子设备，包括存储器、处理器，其特征在于，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序时实现如权利要求3至7中任一项所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法的步骤。

10.计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求3至7中任一项所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法的步骤。