[发明专利]无源硅光芯片偏振相关损耗测试方法及测试系统在审

专利信息
申请号: 202211601873.9 申请日: 2022-12-13
公开(公告)号: CN115791098A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 葛颖;侯广辉;赵远;蔡鹏飞 申请(专利权)人: NANO科技(北京)有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100000 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 无源 芯片 偏振 相关 损耗 测试 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试方法,其特征在于,包括:

利用偏振分析仪设置输入至待测芯片的光的偏振态,并监测记录四种偏振态下的待测芯片的输入与输出光功率值;

基于记录的四组光功率值,计算出待测芯片插损最大和最小时所对应的光偏振态的斯托克斯矢量,并将其回设给所述偏振分析仪。

2.根据权利要求1所述的一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试方法,其特征在于,所述偏振分析仪所设置的输入至待测芯片的光的四种偏振态分别为:竖直线偏振光、水平线偏振光、斜45度线偏振光、左旋/右旋圆偏振光。

3.根据权利要求2所述的一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试方法,其特征在于,还包括:为所述偏振分析仪提供特定波长激光,以使得所述偏振分析仪实时控制和改变输入至待测芯片的光的偏振态。

4.根据权利要求3所述的一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试方法,其特征在于,还包括:将所述偏振分析仪的输出光分为两部分,一部分输入至待测芯片,另一部分用于实时监控输入至待测芯片的光功率值。

5.根据权利要求4所述的一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试方法,其特征在于,所述将斯托克斯矢量回设给所述偏振分析仪之后,还包括:测试待测芯片实际的最大插损以及最小插损,并依据实际的最大插损以及最小插损计算得到待测芯片的偏振相关损耗。

6.一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试系统,其特征在于,包括:

偏振分析仪,用于设置输入至待测芯片的光的偏振态;

光功率计,用于监测并记录四种偏振态下的待测芯片的输入与输出光功率值;

反馈模块,用于基于记录的四组光功率值,计算出待测芯片插损最大和最小时所对应的光偏振态的斯托克斯矢量,并将其回设给所述偏振分析仪。

7.根据权利要求6所述的一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试系统,其特征在于,所述偏振分析仪所设置的输入至待测芯片的光的四种偏振态分别为:竖直线偏振光、水平线偏振光、斜45度线偏振光、左旋/右旋圆偏振光。

8.根据权利要求7所述的一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试系统,其特征在于,还包括:光源,用于为所述偏振分析仪提供特定波长激光,以使得所述偏振分析仪实时控制和改变输入至待测芯片的光的偏振态。

9.根据权利要求8所述的一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试系统,其特征在于,还包括:分路器,用于将所述偏振分析仪的输出光分为两部分,一部分输入至待测芯片,另一部分输入至所述光功率计,用于所述光功率计实时监控输入至待测芯片的光功率值。

10.根据权利要求9所述的一种无源硅光芯片偏振相关损耗测试系统,其特征在于,还包括:数据处理模块,用于在将斯托克斯矢量回设给所述偏振分析仪之后,测试待测芯片实际的最大插损以及最小插损,并依据实际的最大插损以及最小插损计算得到待测芯片的偏振相关损耗。

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