[发明专利]一种控制高压LDO压降状态静态功耗的电路

权利要求书

1.一种控制高压LDO压降状态静态功耗的电路，其特征在于，包括相互电性连接的反馈环路(210)和比较器电路(220)，所述反馈环路(210)包括：

传统高压LDO电路，用于调节电压的大小产生输出信号V_OUT，并将输出信号V_oUT输入至比较器电路(220)中；

限流电路(211)，与传统高压LDO电路电性连接，用于对传统高压LDO电路进行电流控制并接收比较器电路(220)输出的比较信号V_OCO2；

所述比较器电路(220)包括：

镜像电流单元，用于为电路各部分提供合适的电流；

隔离比较单元，与镜像电流单元电性连接，用于比较外部高压供电V_IN和反馈环路(210)的输出信号V_OUT并根据比较结果对电路元件的电压进行隔离，输出比较信号V_OCP2至限流电路(211)。

2.根据权利要求1所述的控制高压LDO压降状态静态功耗的电路，其特征在于，所述镜像电流单元包括与供电电源V_DD连接的偏置电流源I_B，所述偏置电流源I_B的负极与低压N型MOS管三N3的漏极、栅极连接，所述低压N型MOS管三N3、低压N型MOS管四N4、低压N型MOS管五N5、低压N型MOS管六N6的源极均接地，所述低压N型MOS管三N3的漏极、栅极分别与低压N型MOS管四N4、低压N型MOS管五N5、低压N型MOS管六N6的栅极连接。

3.根据权利要求1所述的控制高压LDO压降状态静态功耗的电路，其特征在于，所述隔离比较单元包括高压N型MOS管二HN2、高压N型MOS管三HN3和高压N型MOS管四HN4，所述高压N型MOS管二HN2、高压N型MOS管三HN3、高压N型MOS管四HN4的栅极均与供电电源V_DD连接，源极分别与低压N型MOS管四N4、低压N型MOS管五N5、低压N型MOS管六N6的漏极连接；

所述隔离比较单元还包括高压P型MOS管二HP2、高压P型MOS管三HP3、高压P型MOS管四HP4、齐纳管一Z1和齐纳管二Z2，所述高压N型MOS管二HN2的漏极与齐纳管一Z1的正极、高压P型MOS管四HP4的栅极连接，所述齐纳管一Z1的负极与外部高压供电V_IN连接；

所述高压N型MOS管三HN3的漏极与高压P型MOS管二HP2的栅极、漏极以及高压P型MOS管四HP4的漏极连接，所述高压P型MOS管二HP2的源极输入有输出信号V_OUT；

所述高压N型MOS管四HN4的漏极与高压P型MOS管三HP3的漏极连接，所述高压P型MOS管三HP3的栅极与高压P型MOS管四HP4的源极、齐纳管二Z2的正极连接，所述高压P型MOS管三HP3的源极、齐纳管二Z2的负极均与外部高压供电V_IN连接；

所述高压N型MOS管四HN4的源极、低压N型MOS管六N6的漏极之间的电路输出比较信号V_OCP2。