[发明专利]一种用于硅片表面金属离子检测样品的制备装置及方法

说明书

本发明实施例公开了一种用于硅片表面金属离子检测样品的制备装置及方法；所述制备装置包括：透明状的密封箱体；设置于所述密封箱体内的多个液体容纳单元，包括待测液体罐以及定容液体罐；设置于所述密封箱体内的承载台，所述承载台用于承托容器；设置于所述密封箱体内的定量溶液提取单元，所述定量溶液提取单元用于分别从多个所述液体容纳单元中提取设定体积的液体至所述容器中；设置于所述密封箱体内且位于所述承载台下方的加热单元，所述加热单元用于对盛装有待测液体的容器进行加热以蒸发除去所述容器中的液体。

技术领域

本发明实施例涉及硅片检测技术领域，尤其涉及一种用于硅片表面金属离子检测样品的制备装置及方法。

背景技术

自固体元器件诞生以后，在半导体微电子器件制作过程中，硅片衬底表面清洁的重要性就已被认知。硅器件的性能，稳定性及电路的成品率受硅片表面金属杂质污染的影响极大。当前由于半导体表面的极度敏感性和器件亚微米的尺寸特征，使得对原始硅片的有效清洁的要求越来越高。对于当前硅片的要求准确的来说，总金属污染要少于10¹⁰个/cm²，尺寸大于0.1μm的颗粒，在每平方厘米上小于0.1个，即8英寸硅片上，颗粒数目要求小于30个。

目前，对硅片表面金属杂质的检测过程包括：使用SC-1清洗液和SC-2清洗液对硅片表面进行清洗，以使硅片表面的金属杂质沉积到清洗液中，再将含有金属杂质的清洗液蒸发至干，经定容后，用电感耦合等离子体质谱仪测定其中的金属杂质含量。但是传统的SC-1清洗液以及SC-2清洗液的成分主要为氨水和过氧化氢，因此在对含有金属杂质的清洗液进行蒸发至干的过程中氨气会挥发，挥发的氨气对工艺人员的身体健康造成严重损伤。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种用于硅片表面金属离子检测样品的制备装置及方法；能够自动或半自动对含有金属杂质的清洗液进行定容以得到用于检测硅片表面金属离子含量的样品，降低了人工参与的同时，避免了工艺人员安全问题的发生。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种用于硅片表面金属离子检测样品的制备装置，所述制备装置包括：

透明状的密封箱体；

设置于所述密封箱体内的多个液体容纳单元，包括待测液体罐以及定容液5体罐；

设置于所述密封箱体内的承载台，所述承载台用于承托容器；

设置于所述密封箱体内的定量溶液提取单元，所述定量溶液提取单元用于分别从多个所述液体容纳单元中提取设定体积的液体至所述容器中；

设置于所述密封箱体内且位于所述承载台下方的加热单元，所述加热单元0用于对盛装有待测液体的容器进行加热以蒸发除去所述容器中的液体。

第二方面，本发明实施例提供了一种用于硅片表面金属离子检测样品的制备方法，所述制备方法能够应用于第一方面所述的制备装置，所述制备方法包括：

通过定量溶液提取单元从待测液体罐中吸取设定体积的含有金属杂质的清5洗液至容器中；

利用加热单元对所述容器中的液体进行加热至蒸发除去；

利用所述定量溶液提取单元从所述定容液体罐中吸取设定量的定容液体至所述容器中进行定容以得到用于硅片表面金属离子含量检测的样品。

本发明实施例提供了一种用于硅片表面金属离子检测样品的制备装置及方0法；为了获得硅片表面的金属离子含量，在本发明实施例中将硅片清洗后的含有金属杂质的清洗液装入待测液体容纳罐中，并及时将密封箱体进行密封，随后通过定量溶液提取单元吸取待测液体容纳罐中设定体积的待测液体至容器中，并通过加热单元对容器中的清洗液加热至蒸发除去，在蒸发除去后的残渣中加入定量的定容液体以定容得到可用于硅片表面金属离子含量检测的样品。

5附图说明