[发明专利]一种新型大功耗芯片封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：从上至下依次包括钼铜载板（1）、裸芯片层（2）、陶瓷基板（3）、球状焊盘（4）、金属盖板（5）；

裸芯片层（2）位于钼铜载板（1）的底部，裸芯片层（2）的正面朝向陶瓷基板（3）的正面，球状焊盘（4）设置在陶瓷基板底层；

在陶瓷基板内侧设有多层台阶结构，台阶上靠近裸芯片层（2）的位置处设有金属焊盘（31），台阶向下凸出的最高处连接金属盖板（5），金属焊盘（31）通过金丝（32）与裸芯片层（2）上的芯片互联；

钼铜载板（1）的上表面是整个封装结构的散热面。

2.根据权利要求1所述的一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：所述球状焊盘（4）为焊锡球，通过植球工艺将所述球状焊盘（4）设置在所述陶瓷基板（3）底层的圆形焊盘（33）上。

3.根据权利要求1所述的一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：陶瓷基板（3）为多层板设计成的围框结构。

4.根据权利要求1所述的一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：在陶瓷基板（3）内部布置射频线和控制供电线，球状焊盘（4）与所述陶瓷基板（3）的内部走线互连，从而实现将所述裸芯片层（2）上裸芯片的电气管脚引出。

5.根据权利要求1所述的一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：所述陶瓷基板（3）与所述钼铜载板（1）采用焊料焊接形成一个整体。

6.根据权利要求1所述的一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：裸芯片层（2）通过焊接工艺焊接在钼铜载板（1）的底部。

7.根据权利要求1所述的一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：所述裸芯片层（2）包括射频芯片、低频控制芯片、微带电路器件、或电路板材其中一种。

8.根据权利要求1所述的一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：整个封装结构采用表贴工艺焊接在PCB板上。

9.根据权利要求1所述的一种新型大功耗芯片封装结构，其特征在于：金属盖板（5）通过平行封焊工艺焊接在所述陶瓷基板（3）上。

10.权利要求1至9任意一项所述的新型大功耗芯片封装结构的封装方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）将裸芯片层（2）共晶烧结在钼铜载板（1）上；

（2）将钼铜载板（1）反扣在多层陶瓷基板（3）上，使裸芯片层（2）的正面朝向陶瓷基板（3）的正面，再焊接钼铜载板和陶瓷基板（3）；

（3）在陶瓷基板（3）内侧设计成多层台阶结构，台阶上靠近裸芯片层（2）的位置处设有金属焊盘（31），台阶向下凸出的最高处连接金属盖板（5），将裸芯片层（2）与金属焊盘（31）通过金丝（32）电气互连；

（4）陶瓷基板（3）背面焊接金属盖板（5），通过植球工艺将球状焊盘（4）设置在所述陶瓷基板（3）底层的圆形焊盘（33）上。