[发明专利]一种驱动集成的高压SiC模块在审
| 申请号： | 202211613607.8 | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN115987056A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 尚海;梁琳;邵凌翔;孙祥玉;陈晨 | 申请（专利权）人： | 常州瑞华新能源科技有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00;H05K1/18;H05K1/02;H02M1/32;H02M1/44 |
| 代理公司： | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人： | 尹英 |
| 地址： | 213200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 集成 高压 sic 模块 | ||
1.一种驱动集成的高压SiC模块，包括上DBC板、SiC芯片和下DBC板，所述SiC芯片位于上DBC板和下DBC板之间，其特征在于：所述下DBC连接在所述基板上，下DBC板上连接有驱动器，所述基板上盖设有壳体，所述上DBC板及芯片位于基板与壳体之间的腔体内，所述基板及下DBC板伸出壳体，所述下DBC板伸出壳体的部位为第二连接部，所述驱动器与所述第二连接部连接。
2.根据权利要求1所述的一种驱动集成的高压SiC模块，其特征在于：所述SiC芯片的数量至少为2，所有芯片之间串联连接。
3.根据权利要求1所述的一种驱动集成的高压SiC模块，其特征在于：所述SiC芯片还连接有弹簧功率端子，所述壳体上开有通孔，所述弹簧功率端子的另一端穿过通孔伸出壳体外。
4.根据权利要求1所述的一种驱动集成的高压SiC模块，其特征在于：所述上DBC板和下DBC板均为覆铜陶瓷板，所述覆铜陶瓷板包括一层第一绝缘层和两层第一导电层，所述第一导电层为铜层，两层铜层分别位于所述第一绝缘层的两侧。
5.根据权利要求1所述的一种驱动集成的高压SiC模块，其特征在于：所述SiC芯片与所述下DBC板之间还连接有栅极导电片和开尔文源极导电片，所述SiC芯片与所述上DBC板之间还连接有缓冲层导电片，所述上DBC板和下DBC板之间还连接有铜连接导电片，所述缓冲层导电片远离所述SiC芯片的一端与铜连接导电片远离下DBC板的一端电连接。
6.根据权利要求1所述的一种驱动集成的高压SiC模块，其特征在于：所述栅极导电片连接在所述SiC芯片的栅极上，所述开尔文源极导电片连接在所述SiC芯片的源极上，每个所述SiC芯片的源极与相邻所述SiC芯片的漏极之间依次通过缓冲层导电片、上DBC板、铜连接导电片和下DBC板连接。
7.根据权利要求6所述的一种驱动集成的高压SiC模块，其特征在于：栅极导电片、开尔文源极导电片和铜连接导电片为铜导电片，所述缓冲层导电片为钼片。
8.根据权利要求8所述的一种驱动集成的高压SiC模块，其特征在于：所述缓冲层导电片的厚度为1mm-7.5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州瑞华新能源科技有限公司;华中科技大学，未经常州瑞华新能源科技有限公司;华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211613607.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
