[发明专利]一种La/C/B4C极紫外多层膜反射镜及其制备方法

说明书

本发明属于高反射极紫外元件技术领域，提供了一种La/C/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。本发明的La/C/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜，包括依次层叠设置在基底上的打底层和多周期La/C/Bsubgt;4/subgt;C层；所述多周期La/C/Bsubgt;4/subgt;C层包括若干个层叠设置的La/C/Bsubgt;4/subgt;C层；所述La/C/Bsubgt;4/subgt;C层包括依次层叠设置的La层、C层和Bsubgt;4/subgt;C层；所述La/C/Bsubgt;4/subgt;C层中的La层和所述打底层接触。本发明在Bsubgt;4/subgt;C‑on‑La界面引入C层，减少了界面扩散，提高了光学对比度，进而提高了La/C/Bsubgt;4/subgt;C极紫外多层膜反射镜的理论反射率。

技术领域

本发明涉及高反射极紫外元件技术领域，尤其涉及一种La/C/B₄C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。

背景技术

极紫外光刻作为制造超大规模集成电路的一种可能途径的概念已经引起了相当大的关注。极紫外光刻机主要由3部分组成：极紫外光源系统、极紫外光反射收集系统以及照明曝光刻蚀系统。目前，波长为13.5nm的极紫外光刻(EUVL)设备已经广泛应用于大型芯片制造商公司，也有着许多研究小组都专注于其开发工作。同时，具有更短波长6.xnm的下一代光刻技术成为了研究的热门。由于在极紫外波段内，绝大多数材料表现出极强的吸收性，导致常规的透射式光学系统在此波段失灵，所以极紫外光刻系统采用反射式光学系统。

6.7nm处于硼光学常数的反常色散范围内(K吸收边在λ＝6.63nm处)，理论上La/B多层膜反射镜在垂直入射时有着80％的反射率，这甚至高于Mo/Si在λ＝13.5nm处的反射率。所以，La/B₄C多层膜反射镜被认为是用于下一代极紫外光刻的最有前景的材料。然而，La/B₄C多层膜反射镜实际应用时，各膜层间不可避免会发生互扩散现象，这会导致多层膜界面变宽，使得La/B₄C多层膜反射镜的实际反射率相比理论反射率下降15～20％。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种La/C/B₄C极紫外多层膜反射镜及其制备方法。本发明提供的La/C/B₄C极紫外多层膜反射镜的理论反射率高，且实际应用时，实际反射率相比理论反射率下降较少。

为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种La/C/B₄C极紫外多层膜反射镜，包括依次层叠设置在基底上的打底层和多周期La/C/B₄C层；

所述多周期La/C/B₄C层包括若干个层叠设置的La/C/B₄C层；

所述La/C/B₄C层包括依次层叠设置的La层、C层和B₄C层；

所述La/C/B₄C层中的La层和所述打底层接触。

优选地，所述La/C/B₄C层的单周期厚度为3.38nm。

优选地，所述La层的厚度为1.1nm，所述C层的厚度为0.4nm，所述B₄C层的厚度为1.88nm。

优选地，所述打底层的材质包括Cr，所述打底层的厚度为5～10nm。

优选地，所述基底包括玻璃基底或硅片。

本发明还提供了上述技术方案所述的La/C/B₄C极紫外多层膜反射镜的制备方法，包括以下步骤：

在基底上制备打底层；