[发明专利]一种半导体晶圆贴膜工艺

权利要求书

1.一种半导体晶圆贴膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、通过接管(3)对按压层(9)和上平台(4)的容腔充入介质(12)，在充入介质(12)过程中，按压层(9)向下凸起，形成半球形或半椭球形状后，关闭接管(3)上的阀门，通过液压表(10)观测按压层(9)内介质(12)的压力情况；

S2、根据工作环境温度和晶圆(8)的尺寸，通过加热装置(11)对上平台(4)进行加热，加热温度可选范围0—90度，根据温度计(2)、红外测温器(5)分别测量按压层(9)和其内部的内介质(12)的温度，再调整加热装置(11)设定加热要求；

S3、将固定盘(14)放置在下平台(7)的限位装置(13)外圆处，再把晶圆(8)放置在下平台(7)的限位装置(13)内圆处，下平台(7)带有真空吸附装置，启动真空吸附装置，将晶圆(8)固定在限位装置(13)内圆处，再把需要贴敷的薄膜平整的覆盖在晶圆(8)及固定盘(14)的表面；

S4、启动伸缩机构(1)，推动上平台(4)向下平台(7)靠近，按压层(9)的顶部先接触晶圆(8)的中心位置，随着按压层(9)继续下压，按压层(9)与晶圆(8)接触面面积逐渐扩大，根据液压表(10)的压力值变化情况，控制伸缩机构(1)下压的行程，直到达到设定压力要求，最终按压层(9)会覆盖晶圆(8)及固定盘(14)的表面；

S5、根据工作环境温度、晶圆(8)的尺寸和压力要求，设定按压层(9)与晶圆(8)的贴合停留时间，然后伸缩机构(1)上抬，完成一次贴膜工作，此时晶圆(8)、薄膜、固定盘(14)就被固定成一体，便于后续晶圆的切割；

S6、采用旋转割刀，切除固定盘(14)表面边缘处多余的薄膜，关闭真空吸附装置，将晶圆(8)、薄膜、固定盘(14)一同从限位装置(13)上取出，即可进行重复贴膜工作。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆贴膜工艺，其特征在于：所述上平台(4)上端与伸缩机构(1)固定连接，用于实现上平台(4)的上下压合动作，所述按压层(9)通过固定环(6)密封固定在上平台(4)的下端。

3.根据权利要求1或2所述的一种半导体晶圆贴膜工艺，其特征在于：所述伸缩机构(1)为液压或气压或连杆机构。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆贴膜工艺，其特征在于：所述接管(3)、温度计(2)管、液压表(10)均穿过上平台(4)与按压层(9)、上平台(4)构成的容腔连通，所述接管(3)上设置有阀门用于对按压层(9)内充填介质(12)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆贴膜工艺，其特征在于：所述加热装置(11)的加热方式为电阻加热或低频感应加热方式。

6.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆贴膜工艺，其特征在于：所述限位装置(13)为台阶状圆柱，固定盘(14)通过内圆套在限位装置(13)的外圆上，起到定位作用。