[发明专利]一种三相堆叠交错直流制氢变换器

权利要求书

1.一种三相堆叠交错直流制氢变换器，其特征在于，包括：3个变换器桥臂、6个滤波电感和4个滤波电容；

所述3个变换器桥臂由12个绝缘栅双极型晶体管和12个二极管构成，包括：晶体管S_a1x和晶体管S_a1y、晶体管S_a4x和晶体管S_a4y构成的变换器1号桥臂，晶体管S_b3x和晶体管S_b3y、晶体管S_b6x和晶体管S_b6y构成的变换器2号桥臂，晶体管S_c5x和晶体管S_c5y、晶体管S_c2x和晶体管S_c2y构成的变换器3号桥臂；每个所述晶体管均并联一个所述二极管；

所述3个变换器桥臂为并联连接；

所述滤波电感为电解槽侧滤波电感，包括：电感L₁、电感L₂、电感L₃、电感L₄、电感L₅和电感L₆；

所述滤波电容包括：电容C₁、电容C₂、电容C₃和电容C₄；其中，所述电容C₁和所述电容C₂为直流侧滤波电容，所述电容C₃和所述电容C₄为电解槽侧滤波电容。

2.根据权利要求1所述一种三相堆叠交错直流制氢变换器，其特征在于，

所述晶体管S_a1x和所述晶体管S_a1y构成第一半桥，所述第一半桥的主控开关为所述晶体管S_a1x；

所述晶体管S_a4x和所述晶体管S_a4y构成第二半桥，所述第二半桥的主控开关为所述晶体管S_a4y；

所述晶体管S_b3x和所述晶体管S_b3y构成第三半桥，所述第三半桥的主控开关为所述晶体管S_b3x；

所述晶体管S_b6x和所述晶体管S_b6y构成第四半桥，所述第四半桥的主控开关为所述晶体管S_b6y；

所述晶体管S_c5x和所述晶体管S_c5y构成第五半桥，所述第五半桥的主控开关为所述晶体管S_c5x；

所述晶体管S_c2x和所述晶体管S_c2y构成第六半桥，所述第六半桥的主控开关为所述晶体管S_c2y。

3.根据权利要求2所述一种三相堆叠交错直流制氢变换器，其特征在于，每一个半桥的占空比均为D；

所述滤波电感的计算公式为：

所述滤波电容的计算公式为：

式中，ΔI_L为每相电感电流纹波值，f_s为开关频率，D为占空比，V_o为输出电压，V_s为输入电压，Δu为输出电压纹波值，N为变换器并联相数。

4.根据权利要求2所述一种三相堆叠交错直流制氢变换器，其特征在于，所述三相堆叠交错直流制氢变换器的工作过程为6个阶段，包括：阶段1(t₀-t₁)、阶段2(t₁-t₂)、阶段3(t₂-t₃)、阶段4(t₃-t₄)、阶段5(t₄-t₅)、阶段6(t₅-t₆)。