[发明专利]基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池在审
| 申请号： | 202211623964.2 | 申请日： | 2022-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN115832066A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;骆芸尔;李林华 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 钝化 场效应 掺杂 晶体 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池，包括n型单晶硅基础层，其特征在于：n型单晶硅基础层的反面依次有氟掺杂的氮化硅层/富氮的氮化硅层/银层，n型单晶硅基础层的正面依次有氟掺杂的氮化硅层/氧掺杂的氮化硅层/银电极。
2.如权利要求1所述的基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述的氟掺杂的氮化硅层表达为α-SiNx1Fz，其中0.7x10.8，0.01z0.07；富氮的氮化硅层表达为α-SiNx2，其中x20.85；氧掺杂的氮化硅层表达为α-SiNx3Oy，其中0.7x30.8，0.03y0.25。
3.如权利要求1所述的基于介电钝化层场效应的非掺杂晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述正面的银电极穿过氧掺杂的氮化硅层/氟掺杂的氮化硅层，到达n型单晶硅基础层；所述反面的银层也具有银电极，穿过富氮的氮化硅层/氟掺杂的氮化硅层/，到达n型单晶硅基础层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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