[发明专利]阵列基板和显示面板在审
申请号: | 202211624222.1 | 申请日: | 2022-12-16 |
公开(公告)号: | CN115799271A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 孟贺贺;石龙强 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H10K59/123;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 宗长银 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本申请提供一种阵列基板和显示面板中,存储电容包括相对设置的第一极板、第二极板、第三极板以及第四极板,第二极板位于第一极板和第三极板之间,第三极板位于第二极板和第四极板之间,第一极板和第三极板电连接,第二极板和第四极板电连接,其中第一极板由像素电极层形成;本申请通过使像素电极层形成存储电容的一个电极板,进而形成具有四个电极板的存储电容,增大了存储电容的电容量,提高了像素的充电时间,提升了显示面板的均一性,以缓解现有显示面板的存储电容存在的电容量较小的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
现有的有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板的像素驱动电路一般包括薄膜晶体管以及存储电容(Cst)。其中,采用顶部发光的OLED显示面板可以实现更高的开口率,提升OLED显示面板的显示性能。而且顶部发光的OLED显示面板通常采用将存储电容设置在发光器件下方的设计以提升像素分辨率。但随着分辨率的提升,上下极板电容结构的存储电容的电容量无法满足OLED显示面板的显示驱动要求,进而影响了OLED显示面板的显示性能。
发明内容
本申请提供一种阵列基板和显示面板,以缓解现有显示面板的存储电容存在的电容量较小的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请实施例提供一种阵列基板,其包括:
衬底;
存储电容,设置所述衬底上,包括相对设置的第一极板、第二极板、第三极板以及第四极板,所述第二极板位于所述第一极板和所述第三极板之间,所述第三极板位于所述第二极板和所述第四极板之间,所述第一极板和所述第三极板电连接,所述第二极板和所述第四极板电连接;
驱动电路层,设置在所述衬底上,所述驱动电路层包括至少三层导电层,所述至少三层导电层形成有驱动电路;
像素电极层,设置在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧,所述像素电极层包括间隔设置的像素电极以及所述第一极板,所述像素电极与所述驱动电路电连接;
其中,所述第二极板、所述第三极板以及所述第四极板分别位于所述至少三层导电层中的一层。
在本申请实施例提供的阵列基板中,所述至少三层导电层包括依次层叠设置在所述衬底上的遮光层、半导体层、栅极层以及源漏极层,所述遮光层形成有所述驱动电路的遮光部,所述半导体层形成有所述驱动电路的有源层,所述栅极层形成所述驱动电路的栅极,所述源漏极层形成所述驱动电路的源极和漏极。
在本申请实施例提供的阵列基板中,所述源漏极层还形成有所述第二极板,所述栅极层还形成有所述第三极板,所述遮光层还形成有所述第四极板。
在本申请实施例提供的阵列基板中,所述源漏极层还形成有所述第二极板,所述栅极层还形成有所述第三极板,所述半导体层还形成有导电部,所述导电部作为所述第四极板。
在本申请实施例提供的阵列基板中,所述源漏极层还形成有所述第二极板,所述半导体层还形成有导电部,所述导电部作为所述第三极板,所述遮光层还形成有所述第四极板。
在本申请实施例提供的阵列基板中,所述阵列基板还包括:
第一绝缘层,设置在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧,所述像素电极层上位于所述第一绝缘层上,所述第一绝缘层包括对应所述第三极板设置的第一开孔,对应所述源极设置的第二开孔;
所述像素电极层铺设在所述第一开孔和所述第二开孔内形成连接部;所述第一极板通过所述第一开孔内的连接部与所述第三极板电连接;所述像素电极通过所述第二开孔内的连接部与所述源极电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的