[发明专利]电容切换电路、射频放大电路以及射频前端模组

权利要求书

1.一种电容切换电路，其特征在于，包括设置在第一连接端和第二连接端之间的至少一个电容切换单元；

每一所述电容切换单元包括第一电容、第二电容和切换开关；

所述第一电容的第一端与所述第一连接端相连，所述第一电容的第二端与所述第二电容的第一端相连，所述第二电容的第二端与所述第二连接端相连；

所述切换开关的第一端与所述第一电容的第二端相连，所述切换开关的第二端接地。

2.如权利要求1所述的电容切换电路，其特征在于，所述第一连接端和所述第二连接端均为非接地端。

3.如权利要求1所述的电容切换电路，其特征在于，所述切换开关为第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与控制电源端相连，所述第一MOS管的漏极与所述第一电容的第二端相连，所述第一MOS管的源极接地。

4.一种射频放大电路，其特征在于，所述射频放大电路上设有第一节点和第二节点，所述第一节点和所述第二节点上设有至少一个元器件；

所述射频放大电路还包括权利要求1-3任一项所述电容切换电路，所述电容切换电路的第一连接端耦合至所述第一节点，所述电容切换电路的第二连接端耦合至所述第二节点。

5.如权利要求4所述的射频放大电路，其特征在于，所述射频放大电路包括放大晶体管和偏置电路；

所述放大晶体管的输入端耦合至信号输入端，所述放大晶体管的输入端和所述信号输入端之间设有所述第一节点；

所述偏置电路的一端耦合至所述放大晶体管的输入端，所述偏置电路上设有所述第二节点；

所述射频放大电路还包括设置在所述第一节点和所述第二节点之间的第三电容。

6.如权利要求5所述的射频放大电路，其特征在于，所述电容切换电路，被配置为，根据所述射频放大电路的工作频段，控制至少一个所述切换开关的开关状态。

7.如权利要求6所述的射频放大电路，其特征在于，所述电容切换电路，被配置为，根据所述射频放大电路的工作频段大小，确定所述电容切换电路中处于断开状态的切换开关的数量。

8.如权利要求7所述的射频放大电路，其特征在于，在所述电容切换电路包括一个电容切换单元时，所述电容切换电路，被配置为，所述射频放大电路的工作频段为第一频段，所述切换开关的开关状态为导通状态；所述射频放大电路的工作频段为第二频段，所述切换开关的开关状态为断开状态；所述第一频段小于所述第二频段。

9.如权利要求5所述的射频放大电路，其特征在于，所述偏置电路包括偏置晶体管和偏置电阻；

所述偏置电阻的第一端与所述偏置晶体管相连，所述偏置电阻的第二端耦合至所述放大晶体管的输入端；

所述偏置晶体管和所述偏置电阻的第一端之间设有所述第二节点。

10.如权利要求9所述的射频放大电路，其特征在于，所述射频放大电路还包括隔直电容，所述隔直电容的第一端耦合至所述信号输入端，所述隔直电容的第二端耦合至所述放大晶体管的输入端；

所述偏置电阻的第二端耦合至所述隔直电容的第二端；

所述信号输入端和所述隔直电容的第一端之间设有所述第一节点。

11.如权利要求9所述的射频放大电路，其特征在于，所述偏置晶体管为偏置MOS管，所述偏置MOS管的栅极与偏置电源端相连，所述偏置MOS管的漏极与供电端相连，所述偏置MOS管的源极与所述偏置电阻相连；

或者，所述偏置晶体管为偏置BJT管，所述偏置BJT管的基极与偏置电源端相连，所述偏置BJT管的集电极与供电端相连，所述偏置BJT管的发射极与所述偏置电阻相连。

12.一种射频前端模组，包括如权利要求1-3任一项所述的电容切换电路，或者，包括如权利4-11任一项所述的射频放大电路。