[发明专利]基于多峰值可调谐谐振腔的宽带LC振荡器

权利要求书

1.一种基于多峰值可调谐谐振腔的宽带LC振荡器，其特征在于，包括多峰值可调谐谐振腔和负阻单元，所述负阻单元采用互补式交叉耦合CMOS结构，谐振腔采用匝数比为1:1的变压器，并在外围增加开关电感L_T，变压器的原线圈L_P与3Bit的共模电容阵列C_CM和变容管VAR_CM相连，副线圈L_S与3Bit的共模电容阵列C_DM和变容管VAR_DM相连；变压器通过与并联的电容谐振，并分别在差模的ω₀和3ω₀，共模的2ω₀处形成三个谐振峰值。

2.如权利要求1所述的基于多峰值可调谐谐振腔的宽带LC振荡器，其特征在于，电路布图时，变压器由两个原线圈L_P和副线圈L_S竖直堆叠而成。

3.如权利要求1所述的基于多峰值可调谐谐振腔的宽带LC振荡器，其特征在于，电路布图时，L_P和L_S分别采用设置在铝层AL和次顶层金属M6的方式实现。

4.如权利要求3所述的基于多峰值可调谐谐振腔的宽带LC振荡器，其特征在于，L_P和L_S的尺寸和形状相同。

5.如权利要求2至4任一所述的基于多峰值可调谐谐振腔的宽带LC振荡器，其特征在于，在电路布图时，L_T由铝层AL层和顶层金属M6层共同构成。

6.如权利要求1所述的基于多峰值可调谐谐振腔的宽带LC振荡器，其特征在于，C_CM采用MOM电容，并以最小单元电容的2^n-1倍递增，其中n为单元个数。

7.如权利要求1所述的基于多峰值可调谐谐振腔的宽带LC振荡器，其特征在于，C_DM采用MOM电容，并以最小单元电容的2^n-1倍递增，其中n为单元个数。