[发明专利]一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法

权利要求书

1.一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将三英寸InP半绝缘衬底放入MOCVD腔体中，进行700℃高温的进行烘烤，并在480℃时开始通入PH3，来去除衬底表面的氧化物并改善表面生长质量；接着生长P-InP、N-InP和P-InP结构来进一步抑制电流向衬底的扩散；

步骤2：接着依次生长：N-InP缓冲层、N-InAlAs电子阻挡层、不掺杂InAlGaAs下波导层、InAlGaAs应变多量子阱和垒结构、不掺杂InAlGaAs上波导层、P-InAlAs电子阻挡层、P-InP间隔层、P-InGaAsP光栅层、P-InP保护层，完成Basewaferd的生长；

步骤3：然后密封好拿到黄光间，接着在片子表面采用全息曝光和化学腐蚀的方法制备均匀光栅，光栅腐蚀深度穿透Basewafer的P-InGaAsP光栅层；做完光栅层后再进行进腔前的预处理，将片子在氟化铵溶液中腐蚀5min左右；

步骤4：之后将片子用去离子水冲洗10min、氮气吹干，密封好快速放入准备好的MOCVD腔体的LoadLock，接着使用MOCVD完成光栅填补层、覆盖层、欧姆接触层、Cap层结构的生长，即：P-InP、P-InGaAsP、P-InGaAs、P-InP，完成光栅的Regrowth掩埋，最终完成材料的外延生长；

步骤5：完成材料的外延生长然后进行后续制备工艺，依次步骤脊波导制作，通过PECVD沉积200nm SiO2，通过光刻、刻蚀和腐蚀的方法形成SiO脊型结构，以SiO2为钝化层并在脊波导上进行开孔，然后使用离子布植机，从上到下依次进行He+离子布植，离子布植能量设定位350keV，离子布植剂量需要远小于掺杂量，然后继续进行后续工艺制备，及电子束蒸发Ti/Pt/Au P面金属、减薄衬底厚度至110±10微米，N面蒸发Ti/Pt/Au金属、在N2环境下进行400℃温度下合金120s，端面分别蒸镀反射率低于2％和高于95％的高透和高反膜，完成激光器芯片的制备。