[发明专利]用于单点VCSEL的控制电路在审
| 申请号： | 202211629731.3 | 申请日： | 2022-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN116222767A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 杨通辉;姚毅飞;王立;李念宜;刘赤宇;汪辰杲 | 申请（专利权）人： | 浙江睿熙科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44;G01J1/46;G01J1/42;H01S5/00;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 11642 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 311113 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 单点 vcsel 控制电路 | ||
1.一种用于单点VCSEL的控制电路，其特征在于，包括：第一充电支路，包括第一电源单元和场效应晶体管，单点VCSEL适于串联于所述第一电源单元和所述场效应晶体管之间，所述单点VCSEL形成第一电阻，所述场效应晶体管形成第一电容；和并联于所述场效应晶体管的第二充电支路，包括第二电阻和第二电容。
2.根据权利要求1所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述第二电阻和所述第二电容形成第二RC电路，所述第二RC电路的时间常数值大于所述场效应晶体管的导通时间。
3.根据权利要求2所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述第二RC电路的时间常数值等于所述场效应晶体管的导通时间的10倍。
4.根据权利要求1所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述单点VCSEL适于与所述第二充电支路连接于所述场效应晶体管的漏极。
5.根据权利要求1所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述第二充电支路进一步包括串联于所述第二RC电路的二极管和并联于所述第二充电支路的第二电源单元。
6.根据权利要求5所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述二极管的负极适于与所述单点VCSEL的负极连接。
7.根据权利要求6所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述二极管为肖特基二极管。
8.根据权利要求5所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述第一电源单元包括第一电源和并联于所述第一电源的至少一第一充电电容，所述第二电源单元包括第二电源和并联于所述第二电源的至少一第二充电电容。
9.根据权利要求1所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述用于单点VCSEL的控制电路进一步包括驱动电路，所述场效应晶体管适于连接于所述单点VCSEL和所述驱动电路之间。
10.根据权利要求1所述的用于单点VCSEL的控制电路，其中，所述驱动电路包括以下任意一种驱动器：GaN驱动器、场效应管驱动器。
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