[发明专利]一种基于SIW技术的天线单元及高隔离收发天线阵列

权利要求书

1.一种基于SIW技术的天线单元，其特征在于，包括介质板，基于所述介质板实现的基片集成波导，以及通过沿基片集成波导宽边开纵缝形成的基片集成波导缝隙线阵；

所述的天线单元包括2根所述的基片集成波导缝隙线阵，且每根基片集成波导缝隙线阵由N个缝隙单元组成，天线单元采用同轴馈电方式，并利用微带线进行过渡和匹配；

每根基片集成波导缝隙线阵的N个缝隙单元沿基片集成波导的宽边依次排列；

每个缝隙单元通过在基片集成波导的宽边开设纵缝形成。

2.根据权利要求1所述的基于SIW技术的天线单元，其特征在于，所述的基片集成波导通过在介质板打周期排布的金属柱实现，基片集成波导缝隙线阵布于波导宽边上；

所述基片集成波导的宽度w、金属柱的间距p，金属柱的直径d根据如下公式(1)-(5)确定：

d≤0.2λ＝0.2×12.5mm＝25mm

d≤p≤2d (1)

上述各式中，a表示等效介质波导的宽度；ξ1、ξ2、ξ3为中间变量。

3.根据权利要求2所述的基于SIW技术的天线单元，其特征在于，所述基片集成波导的宽度w确定为6mm-7mm，金属柱的间距p确定为0.9mm-1mm，金属柱的直径d确定为0.45-0.55mm。

4.根据权利要求3所述的基于SIW技术的天线单元，其特征在于，每根基片集成波导缝隙线阵内相邻缝隙单元之间具有相同的缝隙间距，且缝隙间距为5mm-7mm；

两根基片集成波导缝隙线阵之间的间距为6mm-8mm。

5.根据权利要求4所述的基于SIW技术的天线单元，其特征在于，每根基片集成波导缝隙线阵的相邻缝隙单元之间的缝隙间距为5.2mm；

两根基片集成波导缝隙线阵之间的间距为7.7mm。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的基于SIW技术的天线单元，其特征在于，每根基片集成波导缝隙线阵的N个缝隙单元与基片集成波导中心线具有各自的偏移量，并通过这些偏移量实现对缝隙单元切割电流进行切比雪夫加权。