[发明专利]单晶高镍无钴材料及其制备方法、以及锂电池

权利要求书

1.一种单晶高镍无钴材料制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

获取单晶高镍无钴前驱体；

将所述单晶高镍无钴前驱体与锂源混合得到混合料；

对所述混合料进行初次煅烧，得到第一单晶高镍无钴煅烧材料；

对所述第一单晶高镍无钴煅烧材料进行电晕操作，以使所述第一单晶高镍无钴煅烧材料带上正电荷；

对经过电晕操作的所述第一单晶高镍无钴煅烧材料进行二次煅烧，得到第二单晶高镍无钴煅烧材料；

将所述第二单晶高镍无钴煅烧材料与氧化石墨烯溶液进行混合操作，得到所述单晶高镍无钴材料。

2.根据权利要求1所述的单晶高镍无钴材料制备方法，其特征在于，在对所述第一单晶高镍无钴煅烧材料进行电晕操作时，包括如下具体步骤：

采用氧气气流将所述第一单晶高镍无钴煅烧材料通入到电晕放电装置进行电晕操作30min～50min，其中，所述氧气气体流速为0.5m/s～1.5m/s。

3.根据权利要求1所述的单晶高镍无钴材料制备方法，其特征在于，所述初次煅烧的条件：在300℃～400℃的氧气气氛中煅烧1h～3h，其中，升温速率为6℃/min～10℃/min。

4.根据权利要求1所述的单晶高镍无钴材料制备方法，其特征在于，所述二次煅烧的条件：在600℃～1000℃的氧气气氛中煅烧4h～6h，其中，升温速率为6℃/min～10℃/min。

5.根据权利要求1所述的单晶高镍无钴材料制备方法，其特征在于，所述单晶高镍无钴前驱体还掺杂有铟，以得到单晶高镍铟无钴前驱体。

6.根据权利要求1所述的单晶高镍无钴材料制备方法，其特征在于，所述氧化石墨烯溶液的质量浓度为0.3mol/L～0.5mol/L。

7.根据权利要求1所述的单晶高镍无钴材料制备方法，其特征在于，在对所述混合料进行初次煅烧的步骤之后，以及在对所述第一单晶高镍无钴煅烧材料进行电晕操作的步骤之前，还包括如下步骤：

对所述第一单晶高镍无钴煅烧材料进行冷却处理。

8.根据权利要求1所述的单晶高镍无钴材料制备方法，其特征在于，所述单晶高镍无钴前驱体与所述锂源的摩尔比为(0.8～1)：(1～1.05)。

9.一种单晶高镍无钴材料，其特征在于，采用权利要求1～8中任一项所述的单晶高镍无钴材料制备方法得到。

10.一种锂电池，包括负极、电解液、隔离膜以及正极，其特征在于，所述正极包括权利要求9所述的单晶高镍无钴材料。