[发明专利]中远红外非线性光学晶体硫锗银、制备方法及应用在审
申请号: | 202211633164.9 | 申请日: | 2022-12-19 |
公开(公告)号: | CN115961353A | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 罗中箴;郭卫平;邹志刚 | 申请(专利权)人: | 闽都创新实验室 |
主分类号: | C30B29/46 | 分类号: | C30B29/46;C30B1/10;C30B1/02;G02F1/355 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 李晓莉 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 非线性 光学 晶体 硫锗银 制备 方法 应用 | ||
1.一种中远红外非线性光学晶体硫锗银,其特征在于,所述硫锗银的化学式为Ag2GeS3,相对分子量为384.51,晶体结构属于正交非中心对称空间群Cmc21,晶胞参数为:Z=4。
2.一种如权利要求1所述的中远红外非线性光学晶体硫锗银的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将银源、锗源和硫源混合,得到原料混合物;
2)将所述的原料混合物放入干燥的石英管中,抽真空至真空度为10-2-10-3Pa后用氢氧焰对石英管进行封口;
3)将步骤2)中焰封好的真空石英管置于马弗炉中进行固相反应,得到所述的中远红外非线性光学晶体硫锗银。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤1)中,所述的银源为Ag单质或Ag2S;所述的锗源为Ge单质或GeS2;所述的硫源为S单质、Ag2S或者GeS2。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤1)中,按照原子比为1.8-2.3:1:3将Ag单质、Ge单质和S单质混合或者按照1:1的比例将Ag2S和GeS2混合。
5.按照权利要求2所述的方法,其特征在于,步骤3)中,所述的固相反应条件为:在室温时以每小时35-40℃/h的升温速率升至400-450℃,接着保温10-15h,然后再以30-35℃/h的升温速率升至950-1050℃,保温70-80h,最后在70-80h内降至400℃,关闭马弗炉,冷却至室温,得到所述的中远红外非线性光学晶体硫锗银。
6.如权利要求1所述的硫锗银或权利要求2-5任一项所述的方法制备的硫锗银在红外遥感、环境监测或激光制导领域中的应用,其特征在于,使用所述中远红外非线性光学晶体硫锗银制备器件,所述器件应用于红外遥感、环境监测或激光制导领域。
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