[发明专利]一种三氯氢硅中硼杂质的清除方法在审
| 申请号： | 202211634863.5 | 申请日： | 2022-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN116282039A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张建树;袁威;郭瑞丽;彭文才;张金利 | 申请（专利权）人： | 石河子大学 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 新疆知产力专利代理事务所(特殊普通合伙) 65113 | 代理人： | 李凌云 |
| 地址： | 832003 新疆维*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三氯氢硅中硼 杂质 清除 方法 | ||
1.一种去除三氯氢硅中硼杂质的方法，其特征在于，所述方法包括步骤有：
（1）将碳材料放置在管式炉中，惰性氛围中进行高温碳化，管式炉冷却至室温，将得到的产物酸洗、水洗后干燥，得到氮掺杂碳材料；
（2）将步骤（1）中得到的氮掺杂碳材料加入到三氯氢硅中，混合振荡后静置、过滤后完成三氯氢硅中硼杂质的去除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述的碳材料为聚丙烯腈或脱灰褐煤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述的碳材料经过预处理，具体为:将碳材料与氯化锌混合，加入去离子水浸没后搅拌均匀，干燥后得到碳材料/氯化锌混合物。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述碳材料与氯化锌的质量比为1：0.5~2.5。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述的高温碳化的温度为600~1000℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）中所述的氮掺杂碳材料与三氯氢硅的用量比为1g:100mL。
7.一种氮掺杂碳材料，其特征在于，所述材料为碳材料在惰性氛围中高温碳化后冷却至室温，产物酸洗、水洗后干燥而成。
8.根据权利要求7所述的氮掺杂碳材料，其特征在于，所述碳材料为聚丙烯腈或脱灰褐煤与氯化锌的混合物。
9.根据权利要求7~8任一项所述的氮掺杂碳材料在三氯氢硅中硼杂质处理领域中的应用。
10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于，所述的氮掺杂碳材料中吡啶氮的含量在41.2%以上。
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