[发明专利]一种高纯钴溅射靶材的制备方法、高纯钴溅射靶材及应用

权利要求书

1.一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)基体预处理：选择靶材基体，对基体表面进行加工处理，控制基体表面粗糙度在0.1μm以下；

(2)高纯钴沉积：采用化学气相沉积法将高纯钴沉积到经过步骤(1)处理后的基体上，沉积时基体的温度保持在200-400℃，得到高纯钴溅射靶材。

2.根据权利要求1所述的一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中选择铜或铝合金材料作为靶材的基体。

3.根据权利要求1所述的一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中加工处理以后，采用离子束清洗基体表面，去除基体表面杂质。

4.根据权利要求1所述的一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的高纯钴是以(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴原料，经过还原反应得到的，所述高纯钴的纯度≥99.9995％；所述步骤(2)的具体操作为：将(3,3-二甲基-1-丁炔)六羰基二钴原料置于化学气相沉积设备中，以氢气为还原气体，以高纯氩气为保护载气，在真空度为90-120Pa的条件下，向基体表面进行高纯钴沉积，一步法制备得到高纯钴溅射靶材。

5.根据权利要求1所述的一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中制备得到的高纯钴溅射靶材的磁导率≤6.5，靶材溅射层厚度4mm时的透磁率≥75％，透磁率波动≤2％，厚度波动≤0.1mm。

6.根据权利要求1所述的一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中制备得到的高纯钴溅射靶材焊合率为99.5％以上。

7.根据权利要求1所述的一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中制备得到的高纯钴溅射靶材溅射面垂直方向为0001垂直于靶面，溅射面垂直方向晶粒尺寸和晶体面取向一致。

8.根据权利要求1所述的一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中制备得到的高纯钴溅射靶材的密度为理论密度的99.5％以上。

9.根据权利要求1所述的一种高纯钴溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中制备得到的高纯钴溅射靶材长度为100-500mm、宽度为100-500mm，或直径为Φ100-500mm、厚度为1-5mm。

10.一种采用权利要求1-9任一项所述的方法制备得到的高纯钴溅射靶材。

11.一种权利要求10所述的高纯钴溅射靶材在集成电路的制备中的应用。