[发明专利]一种阵列基板及显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板及显示面板。所述阵列基板包括依次层叠设置的衬底基板、第一电容极板、缓冲层、第二电容极板和第一绝缘层、第三电容极板。所述显示面板包括上述阵列基板。其中，第一电容极板、第二电容极板和第三电容极板重叠设置以形成三层电容结构。而第一电容极板与第三电容极板电连接，进一步提高电容极板的电容容量。另外，第一绝缘层上开设有凹槽。第三电容极板设置在凹槽中，可以减小第二电容极板和第三电容极板之间的距离。从而进一步增大电容容量，使得显示面板的亮度均一性提高。

技术领域

本申请属于显示领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

目前，显示领域的阵列基板中采用一道光罩制作源极、漏极和栅极(GSD技术)，以节省光罩从而降低制作成本。这种结构中需要对半导体层进行二次导体化，而在导体化前，半导体层的上方不能覆盖金属层。于是，在采用GSD技术的阵列基板中，通常采用双层电容结构，双层电容结构的电容容量有限，从而限制了显示面板亮度均一性的提高。现有技术中，亦有在阵列基板的平坦层上设置电容极板以使电容为三层结构。但由于平坦层的厚度较大，三层电容结构的电容容量也有限。

因此，对于采用GSD技术的阵列基板，亟需改善电容结构以提高电容容量。

发明内容

本申请的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，通过改善阵列基板的电容结构以提高电容容量。

为解决以上技术问题，本申请提供一种阵列基板。所述阵列基板包括：

衬底基板。

第一电容极板，设置在所述衬底基板上。

缓冲层，设置在所述第一电容极板上。

第二电容极板，设置在所述缓冲层上。

第一绝缘层，设置在所述第二电容极板上；所述第一绝缘层上开设有凹槽。

第三电容极板，设置于所述凹槽中，且与所述第一电容极板电连接设置。

所述第一电容极板、所述第二电容极板和所述第三电容极板重叠设置。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括：

遮光层，与所述第一电容极板同层设置。

半导体层，与所述第二电容极板同层设置。

第二绝缘层，设置在所述半导体层上。

金属层，设置在所述第二绝缘层上。所述金属层包括源极、漏极和栅极。所述源极连接于所述半导体层的一侧，所述漏极连接于所述半导体层的另一侧，以构成薄膜晶体管。所述第一绝缘层设置在所述金属层上，所述第一绝缘层设置有第一通孔。

像素电极，设置在所述第一绝缘层上，且通过所述第一通孔与所述源极接触。所述第三电容极板和所述像素电极同层设置。

在一些实施例中，所述第三电容极板与所述像素电极连接设置。所述第二绝缘层设置有第二通孔，所述源极通过所述第二通孔与所述第一电容极板连接。

在一些实施例中，所述第三电容极板与所述像素电极间隔设置。所述阵列基板还包括第三通孔，所述第三电容极板通过所述第三通孔与所述第一电容极板连接。

在一些实施例中，所述第一绝缘层包括依次层叠设置在所述金属层上的钝化层和平坦层。所述凹槽的深度与所述平坦层的厚度相等。

在一些实施例中，所述第一绝缘层包括依次层叠设置在所述金属层上的钝化层和平坦层。所述凹槽贯穿所述平坦层延伸至所述钝化层。

在一些实施例中，所述第一绝缘层为设置在所述金属层上的平坦层。所述凹槽凹设在所述平坦层上，所述凹槽的深度小于所述平坦层的厚度。