[发明专利]用于硬掩模的金属介电膜的沉积

权利要求书

1.一种用于在衬底上沉积碳化钨膜的方法，其包括：

将衬底布置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理室中；

供给载气至所述PECVD处理室；

供给介电前体气体至所述PECVD处理室；

供给金属前体气体至所述PECVD处理室；

在所述PECVD处理室中产生等离子体；以及

在400-500℃的处理温度下，使用PECVD在所述衬底上沉积介电膜，其中所述介电膜为碳基或氮基并包括金属，所述金属为钛、钽和钒之一。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属前体气体包括钛、钽和钒前体气体之一。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述载气选自由氢分子(H₂)、氩(Ar)、氮分子(N₂)、氦(He)和/或它们的组合组成的组。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电前体气体包括烃前体气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述烃前体气体包括C_xH_y，其中x是从2至10中的整数，而y是从2至24中的整数。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电前体气体包括基于氮化物的前体气体。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述烃前体气体选自由甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、环己烷、苯和甲苯组成的组。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电膜是纳米结晶态的。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述PECVD处理室包括被布置为与基座呈隔开的关系的第一电极；

所述基座包括第二电极；以及

将来自等离子体产生器的RF功率供给到所述第二电极，并且所述第一电极接地。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电极包括喷头。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属前体气体比所述介电前体气体的比值大于20％。

12.一种用于沉积碳化钨膜的方法，其包括：

将衬底布置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理室中；

供给载气至所述PECVD处理室；

供给介电前体气体至所述PECVD处理室；

供给金属前体气体至所述PECVD处理室，其中所述金属前体气体比所述介电前体气体的比值大于20％；

在所述PECVD处理室中产生等离子体；以及

使用PECVD在所述衬底上沉积介电膜，

所述介电膜为碳基或氮基并包括金属，所述金属为钛、钽和钒之一，

其中所述PECVD处理室包括被布置为与基座呈隔开的关系的第一电极；

其中所述基座包括第二电极；以及

将来自等离子体产生器的RF功率供给到所述第二电极，并且所述第一电极接地。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属前体气体包括钛、钽和钒前体气体之一。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述载气选自由氢分子(H₂)、氩(Ar)、氮分子(N₂)、氦(He)和/或它们的组合组成的组。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述介电前体气体包括烃前体气体。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述烃前体气体包括C_xH_y，其中x是从2至10中的整数，而y是从2至24中的整数。