[发明专利]一种多量程纳米薄膜压力传感器在审
| 申请号： | 202211640714.X | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN116358749A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 徐承义;杨雪梅;刘素夫;雷卫武 | 申请（专利权）人： | 松诺盟科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L1/20 |
| 代理公司： | 成都鱼爪智云知识产权代理有限公司 51308 | 代理人： | 刘波 |
| 地址： | 410300 湖南省长沙市浏阳经济技术开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多量 纳米 薄膜 压力传感器 | ||
1.一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，包括主控芯体、薄膜电阻应变片和引压嘴；
所述主控芯体具有基础承载板，所述基础承载板开设有多个应力集中孔；
所述薄膜电阻应变片的数量为多个，且薄膜电阻应变片的数量等于所述应力集中孔的数量，多个所述薄膜电阻应变片一一对应设置于多个所述应力集中孔，所述薄膜电阻应变片设置有惠斯顿敏感电桥，所述薄膜电阻应变片连接所述主控芯体，所述惠斯顿敏感电桥上的应变电阻通过焊接引线连接所述主控芯体；
所述引压嘴的数量为多个，且引压嘴的数量等于所述应力集中孔的数量，多个所述引压嘴一一对应设置于多个所述应力集中孔的端口，所述引压嘴和所述薄膜电阻应变片挤压配合。
2.根据权利要求1所述的一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，所述应力集中孔采用机加工、拉伸、铸造或化学腐蚀方式成形。
3.根据权利要求1所述的一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，所述惠斯顿敏感电桥通过纳米薄膜敏技术及光刻技术生成于所述薄膜电阻应变片。
4.根据权利要求1所述的一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，多个所述应力集中孔的口径均相同或不同，多个所述薄膜电阻应变片的厚度均相同或不同。
5.根据权利要求1所述的一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，所述基础承载板采用镂空设计，所述应力集中孔处的所述基础承载板局部通过焊接方式成型于所述基础承载板的镂空处。
6.根据权利要求1所述的一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，所述应力集中孔的端口设置有外螺纹，所述引压嘴与所述应力集中孔通过螺纹方式连接。
7.根据权利要求1所述的一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，所述主控芯体为圆形或方形。
8.根据权利要求1所述的一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，多个所述应力集中孔呈圆周或矩形排布于所述主控芯体。
9.根据权利要求1所述的一种多量程纳米薄膜压力传感器，其特征在于，所述主控芯体为MCU处理器。
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