[发明专利]多层陶瓷电子组件在审
| 申请号： | 202211642699.2 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN116364442A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 金埈旿;金昞建;吴由弘 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包国菊;沈浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电子 组件 | ||
1.一种多层陶瓷电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极，所述内电极与所述介电层在第一方向上交替地设置；以及
外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，
其中，所述内电极包括多个Ni晶粒，并且在所述多个Ni晶粒中的每个的晶界处设置包括Ni和In的复合层。
2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述复合层具有1nm至5nm的平均厚度。
3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述复合层完全包围所述多个Ni晶粒中的至少一个Ni晶粒。
4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述复合层中相对于Ni的In含量大于等于0.1wt％。
5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多个Ni晶粒中的每个的晶界中的相对于Ni的In含量高于所述多个Ni晶粒中的每个中的相对于Ni的In含量。
6.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述复合层中相对于Ni的In含量为0.1wt％至2.5wt％。
7.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，在所述内电极的厚度方向上在所述介电层与所述内电极之间的界面的3nm内的朝向所述内电极侧的区域中，以及在所述多个Ni晶粒中的每个的轮廓的3nm内的所述内电极的区域中，相对于Ni的In含量为0.1wt％至2.5wt％。
8.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述复合层具有基于总含量的0.3wt％至0.7wt％的In含量和43.7wt％至66.9wt％的Ni含量。
9.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述内电极由用于所述内电极的膏体形成，所述膏体包括包含In的涂层设置在Ni粉末颗粒的表面上的Ni粉末颗粒或包含In合金的Ni粉末颗粒，
其中，在所述膏体中，相对于Ni的In含量大于等于0.1wt％。
10.一种多层陶瓷电子组件，包括：
主体，包括介电层和内电极，所述内电极与所述介电层在第一方向上交替地设置，其中，所述内电极包括至少一个Ni晶粒，包括Ni和In的复合层设置在所述至少一个Ni晶粒的晶界处，并且所述复合层中相对于Ni的In含量为1.0wt％至2.5wt％；以及
外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。
11.如权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，相对于Ni的所述In含量大于1.0wt％且小于等于2.5wt％。
12.如权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，相对于Ni的所述In含量大于1.0wt％且小于2.5wt％。
13.如权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，相对于Ni的所述In含量为1.0wt％至2.0wt％。
14.如权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，相对于Ni的所述In含量大于1.0wt％且小于等于2.0wt％。
15.如权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，相对于Ni的所述In含量大于1.0wt％且小于2.0wt％。
16.如权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，相对于Ni的所述In含量为1.0wt％至1.5wt％。
17.如权利要求10所述的多层陶瓷电子组件，其中，相对于Ni的所述In含量大于1.0wt％且小于等于1.5wt％。
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