[发明专利]一种MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法

权利要求书

1.根据权利要求1所述的MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法，其特征在于，所述步骤1之前，需对MPCVD腔体进行清洁，保证腔体干净无污染，避免腔体内含杂质影响金刚石生长的质量。

2.根据权利要求1所述的MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法，其特征在于，所述步骤2中基片台为凹槽式，方形格子单边尺寸需至少比衬底边长大6mm。

3.根据权利要求1所述的MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法，其特征在于，所述步骤3中抽真空的具体参数与配置的机械泵或分子泵有关，本底真空一般小于表压值10-2Pa。

4.根据权利要求1所述的MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法，其特征在于，所述步骤4中反应气体包括但不限于氢气，亦可是水蒸气、氢气/水蒸气混合气体的一种。

5.根据权利要求1所述的MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法，其特征在于，所述步骤5中刻蚀温度，不同测温设备、不同发射率所测得的刻蚀温度不同，具体根据各自工艺而定。

6.根据权利要求1所述的MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法，其特征在于，所述步骤6中刻蚀气体包括但不限于氢气，或氢气/氧气混合气体；或氢气/氩气混合气体；或氢气/氧气/氩气混合气体中的一种。

7.根据权利要求1所述的MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法，其特征在于，所述步骤7中碳源气体包括但不限于甲烷，或乙醇蒸汽；或丙酮蒸汽；或二氧化碳；或其混合气体等。