[发明专利]一种柔性透明电极的制备方法以及柔性透明电极

权利要求书

1.一种柔性透明电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将柔性玻璃基底(1)进行清洁干燥处理，在干燥后的柔性玻璃基底(1)上形成底层介电层(2)；

S2、在所述底层介电层(2)上形成金属层(3)，所述金属层(3)包括掺杂区和未掺杂区；

S3、在所述金属层(3)上形成顶层介电层(4)；

S4、将经过步骤S3处理后的样品进行真空退火处理，得到柔性透明电极。

2.根据权利要求1所述的一种柔性透明电极的制备方法，其特征在于，步骤S2中：所述金属层(3)为5-12nm厚的Ag层，所述掺杂区处于Ag层的下部并作为下部掺杂区(301)，所述未掺杂区处于Ag层的上部并作为上部未掺杂区(302)；所述Ag层采用共溅射设备通过磁控溅射方式形成，其中共溅射设备的腔室内分别置入Ag靶(8)和Ag-M掺杂靶(9)，其中M为掺杂金属，打开Ag-M掺杂靶(9)的电源，并将镀有所述底层介电层(2)的柔性玻璃基底(1)迅速移动到Ag-M掺杂靶(9)的正上方，Ag-M掺杂靶(9)在所述底层介电层(2)上溅射沉积Ag-M膜，形成一定厚度的所述下部掺杂区(301)，然后关闭Ag-M掺杂靶(9)的电源并打开Ag靶(8)的电源，并将所述柔性玻璃基底(1)迅速移动到Ag靶(8)的正上方，Ag靶(8)在所述下部掺杂区(301)上溅射沉积Ag膜，形成一定厚度的所述上部未掺杂区(302)，之后关闭Ag靶(8)的电源。

3.根据权利要求1所述的一种柔性透明电极的制备方法，其特征在于，步骤S2中：所述金属层(3)为5-12nm厚的Ag层，所述掺杂区包括底部掺杂区和顶部掺杂区，所述底部掺杂区处于Ag层的底部，所述顶部掺杂区处于Ag层的顶部，所述未掺杂区处于Ag层的中部并作为中部未掺杂区；所述Ag层采用共溅射设备通过磁控溅射方式形成，其中共溅射设备的腔室内分别置入Ag靶(8)和Ag-M掺杂靶(9)，其中M为掺杂金属，打开Ag-M掺杂靶(9)的电源，并将镀有所述底层介电层(2)的柔性玻璃基底(1)迅速移动到Ag-M掺杂靶(9)的正上方，Ag-M掺杂靶(9)在所述底层介电层(2)上溅射沉积Ag-M膜，形成一定厚度的所述底部掺杂区，然后关闭Ag-M掺杂靶(9)的电源并打开Ag靶(8)的电源，并将所述柔性玻璃基底(1)迅速移动到Ag靶(8)的正上方，Ag靶(8)在所述底部掺杂区上溅射沉积Ag膜，形成一定厚度的所述中部未掺杂区，之后关闭Ag靶(8)的电源并再次打开Ag-M掺杂靶(9)的电源，并将所述柔性玻璃基底(1)再次迅速移动到Ag-M掺杂靶(9)的正上方，Ag-M掺杂靶(9)在所述中部未掺杂区上溅射沉积Ag-M膜，形成一定厚度的所述顶部掺杂区，之后关闭Ag-M掺杂靶(9)的电源。

4.根据权利要求2或3所述的一种柔性透明电极的制备方法，其特征在于，步骤S2中：所述掺杂金属M为Cu、Al或Au，Ag-M掺杂靶(9)中掺杂金属M的摩尔比控制在1-10％。

5.根据权利要求2所述的一种柔性透明电极的制备方法，其特征在于，步骤S2中：所述下部掺杂区(301)的厚度控制在1-3nm，所述上部未掺杂区(302)的厚度控制在3-10nm。

6.根据权利要求3所述的一种柔性透明电极的制备方法，其特征在于，步骤S2中：所述底部掺杂区的厚度控制在1-3nm，所述中部未掺杂区的厚度控制在3-10nm，所述顶部掺杂区的厚度控制在1-3nm。

7.根据权利要求2或3所述的一种柔性透明电极的制备方法，其特征在于：所述底层介电层(2)与顶层介电层(4)的材质相同，所述底层介电层(2)的材质为金属氧化物ZnO、SnO₂或SiO₂，或者所述底层介电层(2)的材质为经过掺杂改性的金属氧化物AZO或GZO，所述底层介电层(2)与顶层介电层(4)均通过磁控溅射方式或化学气相沉积方式形成。