[发明专利]一种锂电保护芯片的充电过流检测系统

权利要求书

1.一种锂电保护芯片的充电过流检测系统，保护芯片IC设有供电端口VDD，接地端口VSS以及放电控制端口，充电控制端口和电流检测端口，其特征在于：充电过流检测系统包括带隙基准分压电路和负电压检测电路；

带隙基准分压电路包括分压电阻R4和R5，电阻R4的一端连接带隙基准电压源输出的电压基准VBG，电阻R4的另一端连接电阻R5的一端并输出带隙基准电压源输出的电压基准VBG的分压值即参考电压VREF，电阻R5的另一端接地VSS；

负电压检测电路包括PMOS管MP1～MP7以及NMOS管MN1、MN2和MN3，PMOS管MP1的栅极、MP4的栅极和MP7的栅极均连接偏置电压VBIAS，PMOS管MP1的源极和衬底、PMOS管MP4的源极和衬底以及PMOS管MP7的源极与衬底均连接VDD，PMOS管MP1的漏极连接PMOS管MP2的源极和PMOS管MP3的源极，PMOS管MP2的栅极连接带隙基准分压电路输出的参考电压VREF，PMOS管MP2的衬底和PMOS管MP3的衬底均连接连接VDD，PMOS管MP4的漏极连接PMOS管MP5的源极和PMOS管MP6的源极，PMOS管MP5的栅极连接PMOS管MP3的栅极并接地VSS，PMOS管MP5的衬底和PMOS管MP6的衬底均连接VDD，PMOS管MP6的栅极连接信号VIN即保护芯片IC的电流检测端口，PMOS管MP5的漏极连接PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN1的漏极和栅极以及NMOS管MN2的栅极，PMOS管MP6的漏极连接PMOS管MP2的漏极、NMOS管MN2的漏极和NMOS管MN3的栅极，PMOS管MP7的漏极连接NMOS管MN3的漏极并输出充电过流信号VOUT控制保护芯片IC的充电控制端口，NMOS管MN1的栅极、NMOS管MN2的栅极和NMOS管MN3的栅极均接地VSS。

2.根据权利要求1所述的锂电保护芯片的充电过流检测系统，其特征在于：所述分压电阻R4和R5的工艺参数相同。

3.根据权利要求1或2所述的锂电保护芯片的充电过流检测系统，其特征在于：所述分压电阻R4和R5的阻值采用分段设置的抽头调节结构。

4.根据权利要求3所述的锂电保护芯片的充电过流检测系统，其特征在于：系统的工作过程如下：当充电电流小时，输入VIN的电压值负的少，则VREF+VINVSS，输出的充电过流信号VOUT为高电平，对应充电过流检测信号不起作用；当充电电流大时，输入VIN的电压值负的较多，则VREF+VINVSS，输出的充电过流信号VOUT翻转为低电平，对应充电过流检测信号起作用，充电过流信号VOUT经过逻辑组合最终控制保护芯片IC的充电控制端口，通过调整参考电压VREF值，它的负值就是需要检测的负电压目标值，从而实现高精度的充电过流检测；充电过流限流值计算公式：

ILIMIT＝-VREF/Rdson

其中，负号表示电流为充电电流，VREF是带隙基准分压值，Rdson是地到保护芯片IC电流检测端口之间的阻抗；应选取的电阻分压值则为：VREF＝ILIMIT*Rdson。