[发明专利]一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将石墨基座预处理后放置于真空炉内；将Si粉末与SiO₂粉末混合后置于所述真空炉中；对所述真空炉抽真空处理并通入氩气保护升温至1850℃～2050℃，保温，在所述石墨基座的表面形成SiC基层；

S2、将所述真空炉内的温度降低至1050℃～1200℃，压力设置为1KPa～150KPa，将三氯甲基硅烷通过载气运输至所述真空炉内，并通入稀释气体，保温，在所述SiC基层上形成SiC中间层；

S3、将所述真空炉内的压力调整为0.4KPa～1KPa，将三氯甲基硅烷通过载气运输至所述真空炉内，并通入稀释气体，保温，在所述SiC中间层上形成SiC外层。

2.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述Si粉末与所述SiO₂粉末的摩尔比为1.05～1.10∶1。

3.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述SiC中间层的形成时间为2～4h。

4.根据权利要求1所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述SiC外层的形成时间为4h。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述步骤S2及所述步骤S3中，所述载气为氢气，所述稀释气体为氩气和氢气。

6.根据权利要求5所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述步骤S2及所述步骤S3中，载气氢气的流量为2L/min，所述氩气的流量为6L/min，稀释氢气的流量为5L/min。

7.根据权利要求5所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述步骤S2及所述步骤S3中，载气氢气与所述三氯甲基硅烷的流量比为10∶1。

8.根据权利要求1至4任意一项所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中形成的所述SiC基层与所述步骤S1中形成的所述SiC中间层的总厚度大于或者等于100μm。

9.一种碳化硅涂层石墨基座，其特征在于，由权利要求1至8任意一项所述的碳化硅涂层石墨基座的制备方法制备而成。

10.根据权利要求9所述的碳化硅涂层石墨基座，其特征在于，所述SiC中间层填充于所述SiC基层的孔隙中。