[发明专利]一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法

权利要求书

1.一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）衬底置于反应室内，利用MOCVD法在550℃-650℃的温度条件下在衬底上生长外延层；

2）在生长铟镓砷或磷化铟外延层的过程进行P型掺杂，具体步骤如下：

21）通入三族金属源和五族氮源，同时通入碳源，V/III的比值在10-150之间，碳源流量控制在1e^-5-9e^-4摩尔/分钟，持续2-5秒；

22）关闭三族金属源1-2秒；

23）再打开三族金属源，重复步骤21）、22）3-10个周期；

3）在生长铟镓砷或磷化铟外延层的过程进行N型掺杂，

31）打开N型掺杂源；

32）3-5秒后关闭N型掺杂源，打开三族金属源和五族氮源，打开锌源，锌源流量控制在1e^-5-9e^-5摩尔/分钟，持续5-20秒；

33）关闭锌源1-2秒；

4）重复步骤32）、33）至铟镓砷或磷化铟外延层达到目标厚度；

5）关闭锌源和N型掺杂源，而后关闭三族金属源，在五族氮源保护下，升温至550℃-650℃，通三族金属源和锌源，持续生长8-20min，关闭锌源，原位退火后降至常温。

2.根据权利要求1所述的MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其特征在于，所述三族金属源采用了三甲基铟、三甲基镓中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其特征在于，所述碳源采用了四溴化碳、四氯化碳中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其特征在于，所述锌源为二乙基锌。

5.根据权利要求1所述的MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其特征在于，步骤31）中的N型掺杂源采用了碳源或硅烷、乙硅烷，采用碳源时，碳源的流量控制在1e^-5-2e^-5摩尔/分钟。

6.根据权利要求1所述的MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其特征在于，铟镓砷或磷化铟外延层的生长速率为1-5埃/秒。