[发明专利]浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法

权利要求书

1.一种浮轨电路，用于为栅极驱动器供电，其特征在于，所述浮轨电路包括：

第一MOS管，所述第一MOS管的漏极和源极分别与第一电位和浮动电位相连，栅极与钳位节点相连；

第三电阻R3，电性连接于浮动电位和第二电位之间；

电流源，电性连接于第一电位和钳位节点之间，所述电流源两端的电压为基准电压V_REF，内阻为第一电阻R1；

第二电阻R2及第二MOS管，电性连接于钳位节点与第二节点之间；

其中，所述第一MOS管和第二MOS管同为PMOS管或NMOS管，第二电位和浮动电位之间的浮轨电压为栅极驱动器的供电电压。

2.根据权利要求1所述的浮轨电路，其特征在于，所述第二MOS管的栅极和漏极短接，源极与第二电位相连，第二电阻R2电性连接于第二MOS管的漏极和钳位节点之间；或，

所述第二MOS管的栅极和漏极短接后与钳位节点相连，第二电阻R2电性连接于第二MOS管的源极与第二电位之间。

3.根据权利要求1或2所述的浮轨电路，其特征在于，所述浮轨电路为高压侧栅极驱动器供电时，第一电位为地电位，第二电位为电源电压，第一MOS管和第二MOS管均为PMOS管。

4.根据权利要求3所述的浮轨电路，其特征在于，所述电源电压和浮动电位之间的浮轨电压V_{High_side}为高压侧栅极驱动器的供电电压，且V_{High_side}＝K*V_REF，其中，K＝R2/R1。

5.根据权利要求1或2所述的浮轨电路，其特征在于，所述浮轨电路为低压侧栅极驱动器供电时，第一电位为电源电压，第二电位为地电位，第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管。

6.根据权利要求5所述的浮轨电路，其特征在于，所述第二电位和浮动电位之间的浮轨电压V_{Low_side}为低压侧栅极驱动器的供电电压，且V_{Low_side}＝K*V _REF，其中，K＝R2/R1。

7.根据权利要求1所述的浮轨电路，其特征在于，所述浮轨电路还包括电容C，所述电容C电性连接于浮动电位和第二电位之间。

8.一种半桥驱动电路，用于驱动功率管，其特征在于，所述半桥驱动电路包括：

第一浮轨电路及高压侧栅极驱动器，所述第一浮轨电路用于提供第一浮轨电压V_{High_side}为高压侧栅极驱动器供电，所述高压侧栅极驱动器用于驱动高压侧功率管；

第二浮轨电路及低压侧栅极驱动器，所述第二浮轨电路用于提供第二浮轨电压V_{Low_side}为低压侧栅极驱动器供电，所述低压侧栅极驱动器用于驱动低压侧功率管；

所述第一浮轨电路为权利要求1～4及7中任一项所述的浮轨电路，和/或，所述第二浮轨电路为权利要求1～2及5～7中任一项所述的浮轨电路。

9.根据权利要求8所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第一浮轨电路还包括第三MOS管，所述第三MOS管为NMOS管，源极与地电位相连，漏极与浮动电位相连，第三MOS管于电源电压小于预设电压阈值时导通，以将浮动电位拉低至地电位。

10.根据权利要求8所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第二浮轨电路还包括第四MOS管，所述第四MOS管为PMOS管，源极与电源电压相连，漏极与浮动电位相连，第四MOS管于电源电压小于预设电压阈值时导通，以将浮动电位拉高至电源电压。