[发明专利]一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构及传感装置

权利要求书

1.一种热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，包括：

外框；

微应力测量结构，设置在所述外框上，并用于测量所述外框上的应力；

第一热形变解耦结构，用于测量热形变应力；其中，所述第一热形变解耦结构包括相互交叉设置的第一梳指电极以及第二梳指电极，所述第一梳指电极设置在所述外框上，并作为可动电极，所述第二梳指电极作为固定电极，所述第一梳指电极与所述第二梳指电极之间的间距表征出所述热形变应力。

2.根据权利要求1所述的热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，所述微应力测量结构的数量为多个，所述微应力测量结构包括第一子微应力测量结构以及第二子微应力测量结构，且所述第一子微应力测量结构以及所述第二子微应力测量结构相互垂直，以对所述外框的垂直方向上的两个微应力进行测量。

3.根据权利要求2所述的热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，所述微应力测量结构还包括第三子微应力测量结构，所述第三子微应力测量结构设置在所述第一子微应力测量结构以及第二子微应力测量结构的角平分线上，以对所述外框的第一方向上的微应力进行测量，所述第一方向平行于所述角平分线。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，所述第一热形变解耦结构的数量与所述微应力测量结构的数量相同，且每一所述第一热形变解耦结构均设置对应的所述微应力测量结构的一侧。

5.根据权利要求1所述的热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，所述微应力测量结构包括细梁以及至少两个宽梁，两个所述宽梁错位设置，所述细梁设置在两个所述宽梁之间，并用于连接两个所述宽梁；其中，所述宽梁远离所述细梁的一端连接在所述外框上。

6.根据权利要求1所述的热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，所述第一梳指电极包括第一极板，所述第一极板上设置有多个第一梳指极板，所述第二梳指电极包括第二极板，所述第二极板上设置有多个第二梳指极板；所述第一极板与所述第二极板相对设置，以使多个所述第一梳指极板与多个所述第二梳指极板交叉设置。

7.根据权利要求1所述的热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，还包括第二热形变解耦结构，所述第二热形变解耦结构用于测量热形变应力，且所述第二热形变解耦结构的量程大于所述第一热形变解耦结构的量程。

8.根据权利要求7所述的热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，所述第二热形变解耦结构包括刻度槽以及折叠梁，所述刻度槽设置在所述外框上，所述折叠梁一端与外框连接，另一端设置有敏感指针；当所述折叠梁发生热形变时，所述敏感指针指向刻度槽，以标识出当前的热应力数据。

9.根据权利要求8所述的热形变解耦的MEMS微应力放大表征结构，其特征在于，所述折叠梁呈S型折叠结构。

10.一种传感装置，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的MEMS微应力放大表征结构。