[发明专利]一种抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺

权利要求书

1.一种抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，其特征在于：该工艺包括以下步骤：

(1)固溶处理：将共格析出强化面心立方高熵合金板材高温固溶后水淬；

(2)将经步骤(1)固溶处理后的板材进行冷轧；

(3)将步骤(2)中获得的冷轧板进行短时退火；

(4)将步骤(3)所得退火试样进行水淬处理。

2.根据权利要求1所述的抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，其特征在于：步骤(1)中，所述共格析出强化面心立方高熵合金为具有低层错能的共格析出强化面心立方高熵合金。

3.根据权利要求1所述的抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，其特征在于：步骤(1)中，所述共格析出强化面心立方高熵合金板材在1200℃条件下固溶处理5min后水淬。

4.根据权利要求1所述的抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，其特征在于：步骤(2)中，所述冷轧过程采用小压下量多道次的轧制方式，其中轧制道次为2～4次，冷轧总压下量5％～10％。

5.根据权利要求1所述的抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，其特征在于：步骤(3)中，短时退火处理温度为1000℃～1150℃，退火时间为5min～30min。

6.根据权利要求1-5任一所述的抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，其特征在于：经步骤(4)水淬处理后的共格析出强化面心立方高熵合金中低能态晶界(ΣCSL≤29)的比例提高到不低于70％，其中Σ3晶界比例大于60％。