[发明专利]一种可减少硅片表面颗粒沾污的硅精抛液

权利要求书

1.一种可以减少硅片表面颗粒沾污的硅片精抛液，所述精抛液包含硅溶胶磨料、有机酸、碱性化合物、水溶性高分子、表面活性剂、去离子水，其特征为：所述精抛液中碱性化合物为占精抛液总质量的0.05％的高纯氨水，利用有机酸调控精抛液pH为10.5。

2.根据权利要求1所述的可以减少硅片表面颗粒沾污的硅片精抛液，其特征在于，所述精抛液中按质量百分比计包含如下组成：硅溶胶：15％-25％；有机酸：0.1％-0.5％，其种类为单元或多元有机酸中的一种或几种；碱性化合物：0.05％；水溶性高分子：0.2％-0.5％；表面活性剂：0.02％-0.08％，其种类为非离子表面活性剂；余量为去离子水。

3.根据权利要求1所述的可以减少硅片表面颗粒沾污的硅片精抛液，其特征在于，所述有机酸为一元有机酸、二元有机酸、三元及以上有机酸，所述一元有机酸为甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、山梨酸、巴豆酸、乳酸或它们的衍生物；二元有机酸为乙二酸、丙二酸、丁二酸、己二酸、苹果酸、马来酸、酒石酸或它们的衍生物；三元及以上有机酸为柠檬酸、乌头酸、丁烷四羧酸或它们的衍生物。

4.根据权利要求1所述的可以减少硅片表面颗粒沾污的硅片精抛液，其特征在于，所述硅溶胶磨料为：粒径为30-60nm的高纯硅溶胶，高纯硅溶胶占精抛液的质量占比为18-22％；

所述水溶性高分子为纤维素衍生物，所述纤维素衍生物为羟乙基纤维素(HEC)、羧甲基纤维素(CMC)、羟丙基纤维素(HPC)中的至少一种；

所述表面活性剂为：JFCE、AEO-3、AEO-7、AEO-9中的一种。

5.根据权利要求1所述的可以减少硅片表面颗粒沾污的硅片精抛液，其特征在于，使用所述精抛液进行抛光的条件是：

机台：Universal-300T；抛头/抛盘转速：93/92rpm；压力：2.5psi；流量300ml/min；时间：120s；精抛液与去离子水稀释比为1：20；

硅片表面颗粒沾污数量以收集37nm以上的颗粒数量计，所述精抛液处理后，硅片表面37nm以上的颗粒数量为控制在100个以内。

6.根据权利要求5所述的可以减少硅片表面颗粒沾污的硅片精抛液，其特征在于，所述硅片表面37nm以上的颗粒数量为控制在50个以内，优选地硅片表面37nm以上的颗粒数量为控制在35个以内，且精抛液稳定性好。