[发明专利]体声波谐振器及其制作方法、滤波器、电子设备在审
申请号: | 202211668098.9 | 申请日: | 2022-12-23 |
公开(公告)号: | CN116232274A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 李林萍 | 申请(专利权)人: | 见闻录(浙江)半导体有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/54;H03H9/13;H03H9/02;H03H3/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 黄水娜 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振器 及其 制作方法 滤波器 电子设备 | ||
1.一种体声波谐振器,其特征在于,包括:
衬底,以及层叠于衬底上表面的金属层、底电极、压电层和顶电极,所述底电极与所述衬底之间设有声镜,所述金属层围绕所述声镜设置;
所述底电极具有底电极连接端,所述底电极连接端位于金属层上方并与金属层导电连接;所述顶电极具有顶电极连接端,所述顶电极连接端下方的衬底表面设置有绝缘层,所述绝缘层位于金属层的外侧。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述顶电极连接端一侧的金属层的末端不超过所述底电极的末端。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述绝缘层的上表面不高于所述底电极的上表面。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述金属层的厚度不小于所述声镜的高度,所述金属层的厚度为0.1μm-3μm。
5.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述金属层包括封闭环形结构或者由不连续的金属块环形排列形成的结构。
6.根据权利要求5所述的体声波谐振器,其特征在于,所述金属块之间由所述绝缘层填充,并且金属块位于底电极连接端下方。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述金属层内部具有释放通道,所述释放通道的上方设置有释放孔,所述释放通道连通释放孔和声镜。
8.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述金属层包括靠近衬底的第一金属层以及远离衬底的第二金属层,所述第一金属层内部具有释放通道,所述释放通道由声镜延伸至谐振器边缘。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其特征在于,所述底电极与所述金属层之间还设置有种子层,所述底电极连接端一侧的金属层上表面设有连接层,所述连接层的一端与所述金属层电连接,另一端至少覆盖部分所述底电极。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器,其特征在于,所述连接层与所述顶电极材料相同且厚度相同。
11.一种体声波谐振器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一衬底,并在所述衬底上生长金属层;
刻蚀金属层形成开口,在开口中填充牺牲层;
在金属层外周的至少一侧形成绝缘层;
在所述金属层上生长底电极、压电层和顶电极;
释放牺牲层以形成声镜;
所述底电极具有底电极连接端,所述底电极连接端位于金属层上方并与金属层导电连接;所述顶电极具有顶电极连接端,所述顶电极连接端位于所述绝缘层上方。
12.根据权利要求11所述的体声波谐振器的制作方法,其特征在于,在所述底电极生长之前还包括生长种子层的步骤,以及在所述压电层生长之后刻蚀压电层至金属层形成通孔,在压电层表面生长顶电极,顶电极延伸至通孔底部的金属层,之后刻蚀顶电极,通孔内的顶电极形成连接层,连接层与顶电极电性绝缘。
13.一种谐振器组件,其特征在于,至少包括一组相互连接的第一谐振器和第二谐振器,所述第一谐振器和所述第二谐振器均为权利要求1-10任一所述的体声波谐振器。
14.根据权利要求13所述的谐振器组件,其特征在于,所述第一谐振器的金属层与第二谐振器的金属层直接连接,第一谐振器的底电极和第二谐振器的底电极通过金属层导电连接。
15.根据权利要求13所述的谐振器组件,其特征在于,第一谐振器的金属层与第二谐振器的金属层由绝缘层隔离,所述连接层位于第一谐振器的金属层之上,所述第一谐振器的底电极通过金属层和连接层与第二谐振器的顶电极导电连接。
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